电容串并联分压计算方法及公式
大电容由于容量大,所以体积一般也比较大,且通常使用多层卷绕的方式制作,这就导致了大电容的分布电感比较大(也叫等效串联电感,英文简称ESL)。 电感对高频信号的阻抗是很大的,所以,大电容的高频性能不好。而一些小容量电容则刚刚相反,由于容量小,因此体积可以做得很小(缩短了引线,就减小了ESL,因为一段导线也可以看成是一个电感的),而且常使用平板电容的结构,这样小容量电容就有很小ESL这样它就具有了很好的高频性能,但由于容量小的缘故,对低频信号的阻抗大。 所以,如果我们为了让低频、高频信号都可以很好的通过,就采用一个大电容再并上一个小电容的方式。 常使用的小电容为 0.1uF的CBB电容较好(瓷片电容也行),当频率更高时,还可并联更小的电容,例如几pF,几百pF的。而在数字电路中,一般要给每个芯片的电源引脚上并联一个0.1uF的电容到地(这个电容叫做退耦电容,当然也可以理解为电源滤波电容,越靠近芯片越好),因为在这些地方的信号主要是高频信号,使用较小的电容滤波就可以了。 理想的电容,其阻抗随频率升高而变小(R=1/jwc), 但理想的电容是不存在的,由于电容引脚的分布电感效应, 在高频段电容不再是一个单纯的电容,更应该把它看成一个电容和电感的串联高频等效电路,当频率高于其谐振频率时, 阻抗表现出随频率升高而升高的特性,就是电感特性,这时电容就好比一个电感了。相反电感也有同样的特性。 大电容并联小电容在电源滤波中非常广泛地用到,根本原因就在于电容的自谐振特性。大小电容搭配可以很好地抑制低频到高频的电源干扰信号,小电容滤高频(自谐振频率高),大电容滤低频(自谐振频率低),两者互为补充。 串联分压比—— V1 = C2/(C1 C2)*V 。电容越大分得电压越小,交流直流条件下均如此 并联分流比—— I1 = C1/(C1 C2)*I 。电容越大通过的电流越大,当然,这是交流条件下 电容串联值下降,相当板距在加长, 各容倒数再求和,再求倒数总容量。 电容并联值增加,相当板面在增大, 并后容量很好求,各容数值来相加。 想起电阻串并联,电容计算正相反, 电容串联电阻并,电容并联电阻串。 说明:两个或两个以上电容器串联时,相当于绝缘距离加长,因为只有最靠两边的两块极板起作用,又因电容和距离成反比,距离增加,电容下降;两个或两个以上电容器并联时,相当于极板的面积增大了,又因电容和面积成正比,面积增加,电容增大。 电容串联:电容串联后容量减小,耐压值变大。公式:1C1 1C2=1C 如两个50uf串联起来就变成25uf。 耐压值=两个电容耐压值相加如两个耐压100V的串联起来就变成200V的了。 电容C的串联电路容量计算公式:1/C=1/C 1/C2 1/C3 . 1/Cn C为电容串联电路总电容值,C1,C2,C3,Cn为电容并联电路各个电容的电容值。 即串联电路总电容值的倒数等于串联电路中各个电容容量值的倒数之和,两个电容串联两端加一定电压两电容的分压是怎么分的。 如图C1、C2电容容量比是10:1,标称耐压都是1000V,两端加1000V电压时,C1C2的分压分别是多少?原边对地和副边对地的两个Y电容的分压是怎么计算的? 两个电容上的电荷Q一样,面Q=UC。 故U1*C1=U2*C2U1/U2=C2/C1=1/10。 电容串联怎么分压?比如:4V的电压源,0.5F和1F的两个电容串联。1.如果是直流电压源,可根据中学物理中介绍电容串联分压特点为: (1)电容串联电路两端的总电压等于各电容器两端的分压之和。即U= U1 U2 U3 …+Un.(2)电容器串联时各电容器上所分配的电压与其电容量成反比。即Un =Q / Cn(因为在电容器串联电路中,每个电容器上所带的电荷量都相等,所以电容量越大的电容器分配的电压越低,电容量越小的电容器分配的电压越高。)。 那么4V的电压源,0.5F和1F的两个电容上的电压分别是8/3V和4/3V 2.如果是交流电压源,由电容的阻抗Xc=1/jωC ,可知|Xc|与C成反比,将|Xc|当做电阻来分压计算,可所得同样结果! 两电容器串联的分压公式是什么?这是一个理论计算题,需要假设电容的耐压值没有余量,即超过500V时200pF的电容即击穿;超过900V时300pF的电容即击穿。 加上1000V电压后,200pF的电容将承受600V电压,不考虑电容的耐压富余量,则200pF电容将击穿;此时1000V将全部加在300pF的电容上,超过其耐压,故也会击穿。 计算公式: 若有M个电容串联,其中任意一个电容Cn实际承受的电压值Un为:Un=U*C/Cn 其中:U为总电压;C为M个电容串联后的总容量。对于两个电容串联,公式演变为:设总电压是U,C1、C2上的电压分别是U1、U2,则U1=C2*U/(C1 C2),U2=C1*U/(C1 C2)。 |