L6207PD013TR电机驱动器驱动IC性能规格、产品数据介绍
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L6207PD013TR器件是一种DMOS双全桥，专为电机控制应用而设计，采用BCD技术实现，将隔离的DMOS功率晶体管与CMOS和双极电路结合在同一芯片上，该装置还包括执行斩波调节的两个独立的恒定关断时间PWM电流控制器。L6207器件有PowerDIP24（20 2 2）、PowerSO36和SO24（20 2 2）封装，在高端功率MOSFET和热关机上具有非耗散过电流保护。
L6207PD013TR器件集成了两个独立的功率MOS全桥，内置快速续流二极管，使用死区时间实现交叉传导保护在桥的一个支路中的两个功率MOS的关断，和接通之间的电压典型值。在桥的上部晶体管中使用N沟道功率MOS需要高于电源电压的栅极驱动电压，自举VBOOT电源通过内部振荡器和少量外部组件获得，以实现下图所示的电荷泵电路振荡器输出VCP为600kHz的方波，振幅为10V。
电荷泵电路5.2逻辑输入引脚IN1A、IN2B、IN1B和IN2B是TTL/CMOS兼容逻辑输入，导通和关断阈值的典型值分别为Vth（开）=1.8V和Vth（关）=1.3V。引脚ENA和ENB具有相同的输入结构，但过电流和热保护MOSFET的漏极（一个用于桥A，一个用于桥接器B）也连接到这些引脚，由于这些连接，在驱动这些销时需要小心。 引脚图
应用图
产品框图
随着负载中的电流增加，感测电阻器两端的电压成比例地增加，当感测电阻器两端的电压降大于参考输入（VREFA或VREFB）处的电压时，感测比较器触发单稳态开关，关闭低侧MOS，低侧MOS在单稳态设置的时间内保持关闭状态，电机电流在上路径中循环。 当单稳态超时时，桥将再次打开，由于用于防止桥中交叉传导的内部死区时间延迟了功率MOS的打开，因此有效关闭时间是单稳态时间加上死区时间的总和。 下图显示了输出电流、感测电阻器两端的电压降、RC管脚电压和电桥状态的典型操作波形，在低侧功率MOS接通后，由于续流二极管的反向恢复，高峰值电流立即流过感测电阻器。
L6207PD013TR驱动IC提供1s消隐时间tBLANK，其抑制比较器输出，使得该电流尖峰不会过早地再次触发单稳态。L6207器件包括用于两个桥中的每一个的恒定关断时间PWM电流控制器，电流控制电路通过感测连接在两个低功率MOS晶体管的源极和地之间的外部感测电阻器两端的电压降来感测桥电流。 |
