TXS0108EPWR电压电平转换器产品应用引脚功能资料

TXS0108EPWR这款8位非反向转换器，使用两个独立的可配置电源轨，A端口跟踪VCCA引脚的电源电压，VCCA引脚可接受1.2V到3.6V范围内的任意电源电压，B端口跟踪VCCB引脚的电源电压，VCCB引脚可接受1.65V到5.5V范围内的任意电源电压，本文要科普的就是TXS0108EPWR电压电平转换器的产品信息。

这两个输入电源引脚可实现1.2V、1.8V、2.5V、3.3V和5V电压节点之间的任意低压双向转换，输出使能（OE） 输入为低电平时，所有输出均将置于高阻抗（Hi-Z）状态，为确保输出在上电或断电期间处于Hi-Z状态，需通过一个下拉电阻将OE接至GND，该电阻的最小值取决于驱动器的拉电流能力。

TXS0108EPWR体系结构图，描述了该应用程序需要的推挽式和开放式漏极的半缓冲结构设计模式，该应用使用边缘速率加速器电路高导通电阻N沟道传输门晶体管（约为300Ω至500Ω），和上拉电阻器来满足这些要求，此设计不需要方向控制信号，控制从A到B或从B到A的数据流的方向，由此产生的实现既支持低速开漏操作，也支持高速推挽操作。

当从A端口向B端口传输数据时，在上升沿期间，单触发电路（OS3）打开PMOS晶体管（P2）的短持续时间，这减少了从低到高的转变时间。同样，在坠落过程中边缘，当从A向B传输数据时，单触发电路（OS4）导通N沟道MOSFET晶体管（N2）的短持续时间，这加速了从高到低的转变。

体系结构图

产品应用图

B端口边缘速率加速器包括单触发电路OS3和OS4，晶体管P2和N2，当在A端口上检测到相应的转换，当从B端口向A端口传输数据时，在上升沿期间，单触发电路（OS1）打开PMOS晶体管（P1）的短持续时间，这减少了从低到高的转变时间。

类似地在下降沿期间，当从B向A传输数据时，单触发电路短时间导通NMOS晶体管，并且这加快了从高到低的转变，A端口边缘速率加速器由一次发射OS1和OS2、晶体管P1和N1组成，并形成边缘速率加速器，用于快速迫使A当在B端口上检测到相应的转换时，端口高或低。

连续直流电流吸收能力由外部系统级开漏，决定与TXS0108E I/O引脚接口的驱动器，因为这些双向I/O的高带宽电路，用于促进从输入到输出和从输出到输入的快速变化，它们具有由内部上拉确定的数百微安的适度直流电流源能力电阻器。

引脚功能图

功能框图

TXS0108EPWR可用于接口设备或系统的电平转换应用程序，彼此不同的接口电压，该设备非常适合在开放排水的应用中使用驱动程序连接到数据I/O，适用于推挽式驱动器连接到数据I/O，但连接到TXB0104设备，（SCES650）4位双向电压电平转换器对于这种推挽式应用来说可能是更好的选择。

该设备为半缓冲自动方向感测电压转换器的设计，针对需要的转换应用程序，例如MMC卡接口，进行了优化系统以低速开漏模式启动，然后切换到更高速的推挽模式。