森国科G230X系列预驱芯片的应用电路

时间:2023-06-30来源:佚名

森国科科技股份有限公司日前发布了40V预驱芯片系列产品,该系列推出了4个型号,适用于有感BLDC、无感BLDC,有感FOC、无感FOC 及永磁同步电机等控制系统,在家电、电动按摩仪、电动工具、低压风机水泵控制等产品的使用上较为常见。

森国科G230X系列预驱芯片的应用电路

森国科G230X系列预驱芯片的应用电路

ESOP-16封装

森国科G230X系列预驱芯片的应用电路

TSSOP-20封装

01预驱芯片最高耐压可达40V,内置LDO

芯片最高耐压超过40V,推荐工作电压范围7V~36V,可有效覆盖市场上最常见的12V、24V、36V 电机应用。

芯片内置LDO,输出电压3.3V/5V可选,LDO的带载能力可达100mA,无论负载大小,LDO输出的电压稳定,效率高,随温度变化波动小,发热量低,有利于与MCU合封。在系统应用的时候,节省了一颗给MCU供电的LDO,同时还可以节省PCB布板的面积和贴片费用。

02集成度高,保护功能强大,四大保护机制

G2301B、G2311B、G2302B、G2312B的芯片内部都内置了死区时间和直通保护逻辑、输入欠压保护、过流保护、过温保护。

当G2301B和G2311B芯片温度达到160℃时触发过温保护,温度降至140℃时解除输出保护。

G2302B、G2312B芯片则是在155℃时触发过温保护机制,温度降至135℃时解除输出保护。

03上下管驱动能力基本做到了一致

森国科预驱芯片在驱动功率MOS时,G230X上下管驱动能力较为接近,上下管驱动电流都可达到200mA左右,有效解决了友商上下管电流不一致的情况。当上下管驱动电流不一致的时候,实际的驱动能力经常会被驱动电流小的上管或者下管限制住。

04抗静电能力优越

HBM可达3KV,节省了外部静电保护电路,为电机驱动系统设计减小了PCB布板面积,降低了ESD、EMI的难度。

05G2301B可驱动3P 3N功率MOS

G2301B内部集成了三个半桥,可驱动3P 3N功率MOS,每一路输出均可由MCU独立控制,芯片系统框图如下:

森国科G230X系列预驱芯片的应用电路

G2301B 系统框图

06G2302B内嵌电荷泵电路,缩减应用成本

G2302B 内嵌电荷泵电路,缩减应用成本,芯片内部系统框图如下:

森国科G230X系列预驱芯片的应用电路

G2302B 系统框图

G2302B采用的是3N 3N的驱动,多应用在大功率产品上。G2302B内嵌了ChargePump电荷泵电路,电荷泵由振荡电路、二极管和电容器组成。如下图所示芯片内置电荷泵的每个级对电容器中存储的电压进行升压,可以产生高于供电电压的驱动电压,从而驱动上桥臂NMOS开启。相比自举电路需要刷新自举电容,电荷泵电路对输入PWM的占空比没有限制。电荷泵电路内置之后,相比传统的外部自举电路,节省了3个二极管和3个电容,应用的时候只需2个0.1uF电容就可以实现三个半桥6N MOS稳定开关,使得布线更简洁,节省PCB布板面积,同时也提高了电磁兼容性,大幅缩减系统成本。

森国科G230X系列预驱芯片的应用电路

内置电荷泵预驱电路

07G2301B和G2302B的典型应用电路

森国科G230X系列预驱芯片的应用电路

G2301B典型应用电路

森国科G230X系列预驱芯片的应用电路

G2302B典型应用电路

森国科预驱芯片集高可靠、低功耗、高性能于一身,已陆续为落地扇、筋膜枪、电动工具等下游厂商提供定制化解决方案。G230X预驱系列产品,提供封装成品的同时,也提供晶圆(bare die)用于和MCU产品合封。

有关G230X系列的详细性能指标请登录公司网站,下载对应的产品规格书,或点击文末”阅读原文“跳转公司网站

名词释义

ESD模式: 包括CDM(Charged Device Model,帯电设备模式)、MM(Machine Model,机器模式)和HBM(Human Body Model,人体模式)。

BLDC: 无刷直流电机,全称为Brushless Direct Current Motor,无刷直流电机的实质是直流电源输入,采用电子逆变器将直流电转换为交流电,有转子位置反馈的三相交流永磁同步电机。

关于森国科

深圳市森国科科技股份有限公司是一家专业从事功率器件、模块,功率IC的高新科技企业。功率器件主要包括碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、IGBT,功率芯片主要包括功率器件驱动芯片、无刷电机驱动芯片两大类。公司总部在深圳市南山区,在深圳、成都、苏州设有研发及运营中心。公司研发人员占比超过70%,研究生以上学历占比50%,来自联发科、海思、比亚迪微电子、罗姆、华润上华等机构,囊括清华大学、电子科技大学、西安电子科技大学、西北工业大学等微电子专业知名院校。

森国科碳化硅产品线为650V和1200V 碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、SiC二极管模块、SiC MOSFET 模块,该产品系列广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、充电桩电源模块、矿机电源、通信设备电源、5G微基站电源、服务器电源、工业电源、快充电源、轨道交通电源等。森国科碳化硅产品采用6寸车规级晶圆,具有高耐温,高频,高效,高压特性,已稳步进入国内汽车三电、主流大功率电源、光风储逆变器、充电桩电源模块等上市公司供应链。

森国科功率IC采用先进的高压特色工艺,包括功率管及模块的驱动、BLDC及FOC电机的驱动。经过5年的发展,该产品线的团队在BCD工艺,UHV工艺、数模混合、电机驱动算法方面有深厚的积累。功率器件驱动芯片,已经大规模量产中低压系列,即将推出高压系列。在电机驱动芯片方面,已经推出单相BLDC散热风扇电机系列,即将推出三相BLDC电机驱动系列。

森国科在中金资本、北汽产投、蓝思科技、凌霄股份、中科海创等股东的助力下,以低成本创新为己任,努力为客户提供高性价比的绿色“芯”动力,成为全球领先的功率半导体公司!

审核编辑:汤梓红

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