辰显光电成功点亮国内首款P0.5 TFT基无边框29英寸Micro-LED拼接屏

　　(jìn)日，成都辰显光电有限公司(以下简称辰显光电)在成都高新区成功点亮了国内首款P0.5 TFT基无边框29英寸Micro-LED拼接屏。该拼接屏采用了25微米LED芯片，由4个14.5英寸Micro-LED箱体拼接组成，像素间距为500微米，在行业内处d于领先地位。

　　这款拼接屏采用了国内首款Micro-LED专用驱动IC，实现了10 bit色深和240 Hz高刷新率，并配合特有的De-Mura方案，显著提升了显示效果。同时，辰显光电还采用了自主研发的混合驱动电路架构，成功实现了600 nit亮度(支持HDR功能，最高可达1000 nit)。

　　此外，该拼接屏还取得了多项重要的技术突破：

　　一、国内首款P0.5 TFT基Micro-LED大尺寸拼接屏，实现了真正意义上的无限拼接

　　在Micro-LED显示技术的发展中，无限拼接一直被视为一项重要的目标。辰显光电目前实现的这项技术突破使得TFT基Micro-LED屏幕在大尺寸拼接领域拥有了更高的分辨率和更出色的显示效果。用户能够根据自己的需求，自由拼接Micro-LED屏幕，形成任意尺寸的显示画面，为高端应用提供了更加灵活和多样化的解决方案。

　　二、封装反射率降低到5%以下

　　辰显光电成功降低了IJP(Inkjet Printing)封装的反射率，使其稳定在5%以下。IJP技术是Micro-LED封装的关键步骤之一，其高反射率一直是制约Micro-LED显示品质的挑战之一。通过技术团队的不懈努力，辰显光电成功地克服了这一难题，确保Micro-LED显示画面在高亮度状态下仍然保持出色的显示效果，为用户带来更加清晰和逼真的视觉体验。

　　值得一提的是，辰显光电还引入了自主开发的高速巨量转移技术，将25微米LED芯片转移良率提升至99.995%。同时，采用了LED后处理技术，确保了显示色彩的一致性和鲜艳度。

　　为了推动Micro-LED显示技术在中国的发展，今年7月辰显光电已经与成都高新技术产业开发区管理委员会正式签署了Micro-LED显示屏生产基地项目投资合作协议。这意味着全球首条TFT基Micro-LED显示屏生产线即将在四川成都正式启动。据预测，辰显光电的TFT基Micro-LED产品将在2024年进入正式出货阶段。

　　这一突破性的进展将为用户带来全新的惊喜，同时对整个显示产业的发展产生积极的推动作用。辰显光电在Micro-LED技术领域的不断创新和发展，为中国显示技术走向国际舞台提供了强有力的支持。

来源：辰显光电