格恩半导体规模量产氮化镓激光芯片

　　8月26日，安徽格恩半导体有限公司氮化镓激光芯片产品发布会举行。本次格恩半导体共发布了十多款氮化镓激光芯片产品，包括蓝光、绿光及紫光等系列，这些产品关键性能指标已达到国外同类产品的先进水平。

　　资料显示，安徽格恩半导体成立于2021年8月，位于安徽省六安市金安经济开发区，注册资本8072万元，总投资额20亿元。该公司聚焦于化合物半导体细分领域，专注于“高效率激光芯片、高功率LED芯片、高灵敏探测芯片、高性能功率芯片”等产业化核心技术，深耕于高端芯片产品的研发、生产和销售。

　　据了解，(jìn)年来，格恩半导体集中优势资源力量，凭借在化合物半导体、尤其是氮化镓材料领域丰富的研发和生产经验，攻克了一系列技术难点，今年2月25号，具有完全自主知识产权的国产半导体氮化镓激光芯片在安徽格恩半导体有限公司的实验室里诞生。180天后，国产半导体氮化镓激光芯片走出实验室，走上生产线，实现了国产化替代，成为国内首家可以规模量产氮化镓激光芯片的企业。

　　氮化镓是第三代半导体材料，其最大特点为禁带宽度大，具有直接发光、高效率、低成本、易集成的优势，制成的下一代光电子芯片主要应用于激光显示、工业加工、激光通讯、激光医疗等众多领域。我国从事相关研究已有30多年历史，相关高校和研究院所在单元技术方面也取得了一些突破，但都处于研发阶段。目前，国内企业的需求全部依赖进口。

　　目前，格恩半导体已具备覆盖氮化镓激光器结构设计、外延生长、芯片制造、封装测试全系列工程技术能力及量产制造能力，拥有国际领先的半导体研发与量产设备500余台，以及行业先进的产品研发平台和自动化生产线。

来源：全球半导体观察