半导体材料龙头通美晶体拟登陆科创板

市占率位居全球前列

通美晶体招股书显示，公司是一家全球知名的半导体材料科技企业，主要从事磷化铟衬底、砷化镓衬底、锗衬底、PBN材料（热解氮化硼）及其他高纯材料的研发、生产和销售。

据了解，磷化铟衬底、砷化镓衬底、锗衬底产品可用于生产射频器件、光模块、LED（Mini LED及Micro LED）、激光器、探测器、传感器、太空太阳能电池等器件，在5G通信、数据中心、新一代显示、人工智能、无人驾驶、可穿戴设备、航天等领域具有广阔的应用空间。PBN材料及其他高纯材料产品从源头上保障了半导体衬底上游材料的高品质供应，同时在化合物半导体、半导体设备、OLED、LED等产业有广泛的应用。

通美晶体客户广泛，包括Osram、meta、Qorvo、IPG、Skyworks、Broadcom、三安光电等专业的外延厂商、代工厂商、芯片及器件厂商。通美晶体表示，公司是全球范围内少数掌握8英寸砷化镓衬底及6英寸磷化铟衬底生产技术的企业之一，与主要竞争对手Sumitomo、日本JX、Freiberger同处于全球III-V族化合物半导体材料行业第一梯队，未来随着半导体产业链逐步向中国大陆转移，以及境内5G通信、数据中心、新一代显示等下游产业的不断成熟，公司有望在新一轮产业周期中把握新兴市场发展机遇，成为全球III-V族化合物半导体衬底材料的龙头企业。

根据国际知名行业咨询机构Yole统计，2020年通美晶体在磷化铟衬底市场的全球市场占有率为36%，仅次于占比42%的Sumitomo，位居全球第二。2019年通美晶体在砷化镓衬底市场的全球市场占有率为13%，位居全球第四。

拥有完整独立技术体系

通美晶体表示，公司形成了深厚的技术积累和工艺积淀，已掌握了砷化镓多晶合成、半绝缘砷化镓单晶垂直梯度冷凝法生长与碳掺杂控制、半导型砷化镓单晶垂直梯度冷凝法生长和均匀掺杂控制、高质量锗单晶垂直梯度冷凝法生长和掺杂控制、高质量磷化铟单晶垂直梯度冷凝法生长和掺杂控制、纵向温度梯度部分结晶、热解氮化硼化学气相沉积等核心技术。在全球III-V族化合物半导体材料行业内，公司已拥有了完整、独立的技术体系。

2018年-2020年以及2021年上半年（报告期内），公司营业收入分别为4.90亿元、4.62亿元、5.83亿元、3.94亿元，归属于母公司股东的净利润分别为3062.44万元、-3338.90万元、4822.19万元、4019.10万元。研发费用分别为2707.54万元、2682.64万元、4510.82万元、3849.64万元，占当期营业收入的比例分别为5.52%、5.80%、7.73%、9.78%。截至2021年9月30日，公司共拥有发明专利51项。

化合物半导体衬底材料定制化程度较高，下游客户对规格型号、产品标准、技术参数等方面的要求较高，属于典型的高、精、尖高端材料，行业具有较高的技术壁垒、市场壁垒和客户验证壁垒。报告期内，公司综合毛利率分别为30.65%、19.43%、25.68%、33.02%，整体呈现上升态势。通美晶体表示，公司将通过产品升级、工艺改进、丰富产品类型、加强成本控制、提升商务谈判水平等措施，进一步提升市场地位，并持续提升公司的毛利率水平。

拟募资扩大产能

通美晶体本次发行计划募集资金11.67亿元，将投入砷化镓半导体材料项目和补充流动资金项目。其中，砷化镓半导体材料项目将使公司实现新产品8英寸砷化镓衬底的量产，并且扩大2-6英寸砷化镓衬底的生产规模，为公司大尺寸砷化镓衬底产品在Mini LED和Micro LED 领域的布局创造条件，也将有利于巩固公司全球市场份额。

招股书介绍，此次募投项目砷化镓半导体材料项目的产品主要为2、3、4、5、6、8英寸砷化镓衬底，将建设形成年产50万片8英寸砷化镓衬底及年产400万片砷化镓衬底（折合2英寸）的生产能力。

截至目前，全球范围内6英寸及以下尺寸的砷化镓衬底已实现规模化量产，而8英寸砷化镓衬底已成为市场关注的焦点。下游5G射频器件、Mini LED器件、Micro LED器件、车载激光雷达等领域客户的新建产线很可能切换至8英寸，通美晶体谋求8英寸砷化镓衬底量产将具备广阔的市场空间。目前，公司的8英寸砷化镓衬底正处于客户认证阶段，已陆续取得了部分客户的认证，未来将实现规模化销售。

值得注意的是，通美晶体无实际控制人。公司控股股东为外资公司AXT，AXT于1998年5月在NASDAQ上市，持有公司85.51%股份，公司本次发行上市系AXT分拆其主要资产及全部业务在上海证券交易所科创板上市。AXT股权结构分散，无实际控制人，因此，公司也无实际控制人。