苏州东微半导体即将登陆科创板

公开资料显示，东微半导是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，其产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，并在应用于工业级领域的高压超级结、中低压SGT功率器件、IGBT芯片领域实现了国产化替代。从公司的公开资料中可以看出东微半导更多地强调其技术的原创性，并依托对器件结构和工艺的创新凸显产品的领先性，在国内众多功率半导体厂商中独树一帜。

专注工业及汽车市场，人均产值超千万元

近年来，碳中和、碳达峰、新能源汽车、5G和云计算等新技术应用需求迎来了爆发性增长，而功率半导体是在上述应用中实现电能转换的核心基础元器件。公开信息显示，东微半导的业务大多来自于工业级和汽车相关应用。业内周知，相对于消费电子市场，工业及汽车市场对芯片的性能和品质要求更高，存在着较高的技术壁垒。在功率器件领域，应用于新能源汽车的芯片基本被进口芯片品牌垄断，仅极少数国内芯片供应商能够进入上述领域，而东微半导便是其中的佼佼者。经过多年验证，2021年公司产品开始批量进入比亚迪新能源车，成功进军车载芯片市场。

招股书披露，东微半导预计2021年度营业收入为7.72亿元至8.03亿元，同比增长150%至160%；预计2021年度归属于母公司所有者的净利润为1.32亿元至1.53亿元，同比增长377%至453%；预计2021年度扣非后的净利润为1.27亿元至1.47亿元，同比增长522%至620%。2021年公司业绩暴增的主要原因是受益新能源汽车充电桩、通信电源以及光伏逆变器的需求暴增。

招股书显示，截至2021年6月30日东微半导的研发人员占比46%，按其员工数推算，预计人均产值超过1000万元，属于典型的技术密集型芯片设计高科技公司。

中国半导体协会魏少军曾公开表示，2021年我国芯片设计业从业人员约为22.1万人，人均产值207.6万元。东微半导的人均产值约是国内芯片设计行业人均产值的5倍，处于行业领先水平。

人均产值远高于同行水平，离不开东微半导优秀的研发团队。东微半导创办于2008年，王鹏飞和龚轶是公司联合创始人和联合实控人，两人都有在国外留学与工作的经历，有丰富的集成电路产业经验。其中，CTO王鹏飞博士曾担任复旦大学微电子学院教授十余年，在学术方面也有一定的知名度。

据公开资料显示，早在2013年8月，王鹏飞博士就曾联合东微与复旦大学在美国顶级期刊《Science》上合作发表过关于一种新型微电子元器件的重量级论文，并因此被新闻联播、人民日报、文汇报等权威媒体头条报道。

美国《Science》期刊是全球最著名的科技期刊，也是国际上最具代表性、知名度和权威性的综合性学术期刊之一，享有极高的学术声誉和世界影响力。在此之前，中国企业从未在《Science》上发表过微电子器件方面的研究论文，而东微半导能够在如此高级别的学术期刊上发表论文，反映了公司在微电子基础元器件方面强悍的创新能力。东微半导的研发团队专注深耕新型微电子器件领域，通过对半导体器件技术的底层创新为公司的长期高质量发展铸造起极深的技术护城河。

打造王牌产品，性能优于国际同行

通过查阅招股书，集微网发现了东微半导的众多技术亮点，包括国际领先的超级结 MOSFET、超级硅MOSFET技术、业内独创的Tri-gate IGBT技术以及Hybrid-FET器件技术等。

据了解，高压超级结MOSFET是东微半导的王牌产品，也是其功率分立器件领域中占比最大的产品，高压超级结MOSFET器件具有高频、易驱动、功率密度高等特点，应用领域非常广泛，涵盖通信、汽车电子、工业控制、光伏、储能、智能电网、消费电子等领域。

不过，长期以来，高压超级结MOSFET市场主要被进口厂商占据，国内高性能高压超级结MOSFET功率器件市场占比较小。在此情况下，东微半导自成立以来积极投入对高压超级结MOSFET产品的研发，并得到了华为、比亚迪、特锐德、通用电气、视源股份、英飞源、英可瑞、高斯宝、金升阳、雷能、美的、创维、康佳等全球知名客户的认可，取得良好的市场口碑。

2016年4月14日，人民日报刊登了东微半导的高压超级结MOSFET在充电桩用高压高速核心半导体器件领域首次实现国产化的报道，确定了东微半导在充电桩功率器件领域“国产第一芯”的地位。

招股书显示，东微半导最先进的高压超级结产品OSG65R017HT3F的导通电阻为14mohm，与国际领先品牌英飞凌最小的导通电阻15mohm处于相似水平，而公司产品的650V耐压要高于英飞凌的600V耐压，综合性能优势明显。对于MOSFET而言，导通电阻是一个重要的性能参数，该数值越小，MOSFET工作时的功率损耗越小，也越能体现公司的技术创新能力。

值得一提的是，东微半导于2016年提出的超级硅系列产品性能更为突出，OSS60R190FF型号的优值（FOM）为2.53Ω·nC，优于全部国际品牌在相同平台下临近规格的优值，包括英飞凌最新一代产品IPDD60R190G7。

东微半导的产品性能之所以能在众多进口芯片中占据优势地位，主要得益于其深厚的积累和技术创新能力。在高压超级结MOSFET技术领域，东微半导积累了包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等行业领先的专利技术，产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平。在中低压SGT MOSFET领域，公司亦积累了包括优化电荷平衡、自对准加工等核心技术，产品的关键技术指标达到了国内领先水平。

不走寻常路，开发原创Tri-gate IGBT实现批量出货

得益于新能源产业的高速发展，近年来下游应用对IGBT器件的需求增长迅速。当前国际上主流的IGBT使用的是沟槽栅FS-IGBT结构。而东微半导提出的Tri-gate IGBT（TGBT）是一种国际上首创的器件结构，实现了载流子浓度大幅增强，并通过电场调制提高耐压，实现了高电流密度、低开关损耗等性能优势。同时，由于采用创新器件结构，东微半导的IGBT的电流密度大幅提高，其芯片面积进一步缩小，突破了传统IGBT的电流密度水平，直接消除了多年以来国产IGBT与进口IGBT芯片之间的技术代差。由于性能赶超了传统trench结构的IGBT，东微半导将这种新型Tri-gate IGBT命名为TGBT。

招股书指出，东微半导的IGBT产品通过优化器件内部的载流子分布，提高了电流密度，在不提高饱和压降Vce,sat的情况下实现了较低的关闭损耗Eoff。比如，公司的低饱和压降系列650V75A芯片OST75N65HSZF，可以在Eoff相对于OST75N65HZF基本不变的情况下（0.9mJ），将饱和压降Vce,sat典型值降低到了1.50V，性能处于国际领先水平。目前，Tri-gate IGBT（TGBT）产品已在光伏逆变、储能、充电桩模块、电机驱动等领域批量出货。

通过查阅东微半导的公司官方网站，集微网发现其IGBT规格已经达到31个，芯片电压从600V做到了1350V。由于国内IGBT产业起步较晚，目前国产替代还处于起步阶段，东微半导的Tri-gate IGBT技术带来的性能优势有望带来其在各高性能高可靠性应用领域的爆发性增长。在国产替代行业趋势和自身产品性能优势的助力下，必将成长为公司新的王牌产品。

SiC产品低调面世，持续深耕高性能功率器件

除加码当前炙手可热的IGBT外，东微半导于2021年7月立项了第三代半导体SiC功率器件自主研发项目，主要针对以碳化硅的为衬底的第三代半导体材料功率器件进行研发。

令人意外的是，在东微半导的官网上居然出现了四款SiC相关器件和三款Hybrid-FET器件。

毫无疑问，以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料具备耐高温、耐高压、高频率、大功率、抗辐射等优异特性，相对硅基功率器件而言，碳化硅或氮化镓器件在新能源汽车、特高压、数据中心等场景都有着一定的优势。

随着“碳中和”、“碳达峰”的火热讨论，绿色用电、高效发电显得至关重要，而新能源汽车、5G等新技术应用更是加速了第三代半导体产业化需求，在此背景下，业内人士纷纷认为，具备可提升能源转换效率特点的第三代半导体产业将进入发展快车道。

笔者也注意到，东微半导此次募投中的研发工程中心建设项目计划在SiC器件、新型硅基高压功率器件方向进行布局，为公司的可持续发展提供更有力的技术支撑。东微半导提早布局并推出碳化硅功率器件，能够持续扩产公司产品类型，为客户提供更加完整的高性能功率器件产品，也将为将来的发展提供了更大的想象空间。

除此之外，基于业内独创的Tri-gate IGBT技术，东微半导的研发团队创造性地提出了Hybrid-FET器件结构，该器件在大幅提高功率器件功率密度的同时，能够维持较高的开关速度，可明显提升系统效率。

从高压超级结MOSFET、IGBT到SiC、Hybrid-FET器件，东微半导一直围绕着高性能功率器件技术不断深耕，凭借其强大的底层技术创新能力，也让公司站在功率器件行业的技术高点，并在芯片国产率较低的工业及汽车领域留下了浓墨重彩的一笔。

集微网研读了东微半导的招股书和以往公开的资料，发现多项令人意外的技术亮点，也就不难理解这家素来低调的技术流Fabless公司为何同时被大基金和华为看上。东微半导顺利打造出高性能的高压超级结MOSFET，凭借着独创的Tri-gate IGBT技术，东微半导又顺利进入IGBT市场，并开发出第三代半导体芯片。相信东微半导成功IPO之后，势必会不断扩充公司产品结构，逐渐成长为拥有多元化产品的功率半导体厂商，并向更高端的功率器件市场发起冲击，实现高质量的高速可持续发展。（校对/萨米）