美国BOLB公司与元旭半导体签订《高效率大功率铝镓氮深紫外杀毒芯片》合作开

　　近日，元旭半导体与美国硅谷的国际深紫外LED专业公司、透明深紫外LED技术和专利的发明者—美国BOLB公司签订了《高效率大功率铝镓氮深紫外杀毒芯片》的合作开发战略协议，就高效率大功率铝镓氮深紫外LED模组的研发、应用产品的产业化等进行深入合作。

　　元旭半导体并于近日先后获批“潍坊市一企一技术中心”和“潍坊市新型微纳衬底芯片重点实验室”。

来源：行家说UV