时间：2022-04-21 | 来源：佚名
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央广网北京4月21日消息 Micro-LED以其优越的性能被应用于微型显示器、可见光通信、光学生物芯片、可穿戴设备和生物传感器等诸多领域。近日，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员梁静秋团队发现，随着尺寸的减小，硅衬底上铝镓铟磷（AlGaInP）红光微型LED芯片可承受的最大电流密度增加，高注入电流下散热特性有所改善，且中心波长偏移减小，该研究有望进一步促进红光微型LED（Micro-LED）在全彩显示技术上的应用。相关研究结果发表在《Results in Physics》上。
“Micro-LED显示的技术挑战是如何获得高分辨率和高像素密度，”梁静秋介绍，由于像素尺寸缩小，侧壁表面非辐射复合变大，引起光电效率下降。器件制备过程中的ICP刻蚀，加重了侧壁缺陷。
研究团队使用晶圆键合和衬底转移技术，研究了5种像素尺寸的硅衬底AlGaInP红光Micro-LED的尺寸效应。通过采用低损伤刻蚀技术减小LED芯片侧壁缺陷；通过采用散热性能更好的硅衬底代替砷化镓（GaAs）衬底，即改善了LED芯片的散热性，又避免GaAs衬底对红光的吸收。
研究团队认为，该研究为解决Micro-LED全彩显示技术提供了新的技术方案。 相关论文信息：https://doi.org/10.1016/j.rinp.2022.10544
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