全球半导体产业联盟四起！

今年以来，疫情反复无常，面对严峻的市场环境，半导体产业联盟四起，各方共同携手抵御风险，提升自身实力。

近年来，功率半导体市场发展迅猛，美、欧、日等国家纷纷出台法案，加大对功率半导体行业的扶持力度。而在这些国家相继进军该市场后，韩国望眼一看，为扩大其在半导体领域的影响力，也快马加鞭攻入该领域。

最新消息，据韩媒ETNews 报道，为了开发新一代功率半导体，韩国于4月14日正式推出由其国内半导体企业、大学、研究所等组成的“新一代晶体工程部”，以应对碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化镓（GaO）等迅速增长的全球功率半导体市场。

该研究部门将开发以碳化硅（SiC）为基础的国产功率半导体生态系统，还将培育与碳化硅半导体相关的材料、零部件和设备企业的发展，并决定为应对碳化硅半导体市场的增长，组成联盟。

该联盟聚集了LX Semiconductor、SK siltron、Hana Materials、STI等30家功率半导体企业，他们将参与材料、零部件、设备用功率半导体的开发。

其中，由LX Semiconductor开发碳化硅半导体、SK siltron公司负责碳化硅衬底、Hana Materials和STI将共同开发碳化硅半导体零件和设备技术、由光云大学、嘉泉大学和韩国国民大学支援碳化硅半导体研究开发基础设施，由韩国国家纳米材料研究所和陶瓷工程技术研究所支援技术。

此前3月，TrendForce集邦咨询研究表示，目前最具发展潜力的材料即为具备高功率及高频率特性的宽禁带（Wide Band Gap；WBG）半导体，包含碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN），主要应用大宗为电动车、快充市场。

据TrendForce集邦咨询研究推估，第三类功率半导体产值将从2021年的9.8亿美元，至2025年将成长至47.1亿美元，年复合成长率达48%。

面对充满着无限机遇的功率半导体市场，韩国之前也开始早早部署。

2016年，韩国围绕Si基GaN和SiC器件启动功率电子国家项目；

2017年，韩国产业通商资源部（MOTIE）举办研讨会，以837亿韩元投入低耗能的SiC功率半导体；

2019年，韩国政府每年将提供1兆韩元（约合8.5亿美元）的预算，以支持半导体材料、以及设备的国产化；

2021年，韩国政府投资2500亿韩元（约14.58亿人民币），且表示未来10年将投资2.5兆韩元（约143亿人民币），加快功率半导体等技术的研发。

4月，据外媒businesswire报道，英特尔（Intel）、美光（Micron）、亚德诺半导体（Analog Devices Inc；ADI）和MITRE Engenuity宣布达成协议，加快半导体研究、开发和原型设计，以打造更坚强的美国半导体工业，在美国培育先进制造业，并在日益激烈的全球竞争中保护知识产权。

英特尔、美光、ADI和MITRE Engenuity将积极寻求来自美国半导体生态系统各个方面的行业和专家的共同参与，包括集成设备制造商（IDM）；无晶圆厂芯片公司（Fabless）；基础设施、设计和制造工具的供应商；以及来自工业界和学术界的技术创新者。

据介绍，由MITRE Engenuity领导的半导体联盟于2021年从工作组发展而来，其原则已发表在《美国创新促进美国增长》（American Innovation for American Growth ）白皮书中，总结了该联盟呼吁采取行动建立一个公平客观的国家半导体技术中心（National Semiconductor Technology Center；NSTC）。

之前1月中旬，美国半导体行业协会（SIA）发布了《2021年美国半导体行业报告》。SIA表示，美国半导体产业的研发占比超过其他任何国家的半导体产业，但优势地带主要集中在EDA和核心IP、芯片设计、制造设备等研发密集型领域。其在芯片制造的份额正在急剧下降，需要更大力度的投资和激励措施。

美国参议院在去年6月通过了《美国创新与竞争法案》（USICA），将划拨520亿美元用于支持芯片制造、研究和设计。此举正是为了强化半导体供应链建设。

据外媒4月报道，CEA、Soitec、格芯（GlobalFoundries）和意法半导体（STMicroelectronics）宣布将在下一代FD-SOI（全耗尽绝缘体上硅）技术上展开合作。

2000年，伯克利的前任教授胡正明发明了FD-SOI技术。相较于体硅技术，FD-SOI可以实现对纳米节点工艺制程下晶体管电流的有效控制和阈值电压的灵活调控。因而，从21世纪伊始，以Leti、Soitec、STM为代表的欧洲半导体科研机构和公司开始投入该技术的研发。

FD-SOI使用的范围广泛，其中，汽车是2xnm FDSOI技术的主要应用领域，包括雷达、供电电池等物联网设备。由于移动IC应用的功耗必须足够低以最大限度的延长电池寿命，因此FD-SOI技术也十分适合移动IC应用。

此前也有联盟成立以求SOI技术突破。

2007年，SOI联盟（SOI Consortium）成立，之后越来越多的企业和机构开始关注SOI技术。目前，SOI联盟的成员包含科研机构、材料商、设备商、集成芯片制造商、芯片设计商、芯片代工商、供应商等，且贯穿整个产业链。

回首过去几十年，三星、IBM、格芯、意法半导体、CEA等企业一直不断地尝试，将FD-SOI技术向更先进的制程推进，还通过提高SOI晶圆产能和降低成本，以进一步推进该技术市场化。

当前，意法半导体可实现28nm FD-SOI量产，而格芯在德国德累斯顿拥有一家生产设施，采用22nm制程的22FDX工艺。FD-SOI在低功耗应用上具有显著优势，制造工艺也较FinFET简化。

该技术走到22nm之后，特征尺寸已很难继续微缩，所以亟待发展革新技术。技术研究中心CEA-Leti认为，FD-SOI制程可以扩展到10nm以下。

此前3月，英特尔、AMD、Arm、高通、微软、谷歌、meta（元界）、台积电、日月光、三星十家行业巨头宣布正式成立通用小芯片互联（Universal Chiplet Interconnect Express，UCIe）联盟。该联盟旨在推广UCIe 技术标准，构建完善生态，使之成为异构封装小芯片（Chiplet）未来片上互联标准。

UCIe是一种开放的Chiplet互连规范，定义了封装内Chiplet之间的互连，以实现Chiplet在封装级别的普遍互连和开放的Chiplet生态系统。

UCIe 1.0规范涵盖芯片到芯片I/O实体层、芯片到芯片协定和软件堆叠，并利用了成熟的PCI Express（PCIe）和Compute Express link（CXL）高速互连标准。

该标准最初由Intel提议并制定，后开放给业界，共同制定而成。目前，UCIe标准面向全行业开放。