III-V族化合物半导体材料生产商和供应商 云南锗业控股子公司鑫耀半导体将亮
时间：2022-06-08来源：佚名
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III-V族化合物半导体材料在光电子器件，光电集成，超高速微电子器件和超高频微波器件及电路上得到重要应用，有广阔前景。
金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术自二十世纪六十年代提出以来，取得了飞速进步，已经广泛应用于制备III族氮化物、III-V族化合物、碲化物、氧化物等重要半导体材料及其量子结构，极大地推动了光电子器件和微电子器件与芯片的发展及产业化，也成为半导体超晶格、量子阱、量子线、量子点结构材料及相关器件研究的关键技术。未来MOCVD技术的发展将会给化合物半导体科学技术和产业发展带来更为广阔的前景。
2022年8月16日-19日，以“探索材料新动能·智创未来芯发展”为主题，第十七届全国MOCVD学术会议（MOCVD 2022）将在山西太原举行。本届大会是在国家科学技术部指导下，由中国有色金属学会、中国科学院半导体研究所、中关村半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟联合主办，半导体照明联合创新国家重点实验室、北京第三代半导体材料及应用工程技术研究中心、山西中科潞安紫外光电科技有限公司、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办，山西大学、中北大学、山西师范大学等单位协办支持。
届时与会专家学者、工程技术人员和企业家将围绕MOCVD生长机理与外延技术、MOCVD设备（整机/部件/配件/原材料）、材料结构与物性、光电子器件、电力电子器件、微波射频器件、LED智能照明与物联网、半导体激光器、光伏/光探测器、可见光通信技术等领域开展广泛交流，了解发展动态，促进相互合作。
全国MOCVD学术会议自1989年第一届会议举办以来，已经成功举办了十六届，会议规模和影响力越来越大，成为全国学术界和产业界广泛参与的学术盛会。
据组委会透露，此次云南鑫耀半导体材料有限公司（简称鑫耀半导体）将亮相该盛会，鑫耀半导体是云南锗业控股子公司，其前身为北京中科镓英半导体有限公司，是国内最早研发、生产高品质半绝缘砷化镓和磷化铟衬底的企业。 鑫耀半导体是我国著名的III-V族化合物半导体材料生产商和供应商，是云南省军民融合企业，是中央军委装备发展部新材料产品重点扶持单位。鑫耀半导体拥有国内最具有产业化实力的III-V族高端光电半导体材料研发平台和产业化生产线；拥有从单晶生长、晶片加工、测试检验完整的工艺线；拥有从磷化铟单晶炉设计制造、单晶生长、晶片加工等技术方面的核心人才35人，该团队一直从事磷化铟单晶片（InP）、砷化镓单晶片（GaAs）研发和产业化生产管理工作，具有丰富的半导体材料专业知识和产业化管理经验。
鑫耀半导体主营产品
1.砷化镓产品
砷化镓作为半导体材料具有优良的特性。使用砷化镓衬底制造的半导体器件，具备高功率密度、低能耗、抗高温、高发光效率、抗辐射、高击穿电压等特性，因此砷化镓衬底被广泛用于生产射频器件、激光器等器件产品。20世纪90年代以来，砷化镓技术得以迅速发展，并逐渐成为最成熟的半导体材料之一。但长期以来，由于下游应用领域的发展滞后，市场需求有限，砷化镓衬底市场规模相对较小。2019年后，在5G通信、无人驾驶、人工智能、可穿戴设备等新兴市场需求的带动下，未来砷化镓衬底市场规模将逐步扩大。
目前，砷化镓衬底主要应用下游器件包括射频器件、激光器，各器件需求情况分别如下：
（1）射频器件
射频器件是实现信号发送和接收的关键器件，射频器件主要包括功率放大器、射频开关、滤波器、数模/模数转换器等器件，其中，功率放大器是放大射频信号的器件，其直接决定移动终端和基站的无线通信距离和信号质量。由于砷化镓具有高电子迁移率和高饱和电子速率的显著优势，因此砷化镓一直是制造射频功率放大器的主流衬底材料之一。4G时代起，4G基站建设及智能手机持续普及，用于制造智能手机射频器件的砷化镓衬底需求量开始上升。进入5G时代之后，5G通信对功率、频率、传输速度提出了更高的要求，使用砷化镓衬底制造的射频器件非常适合应用于长距离、长通信时间的高频电路中，因此，在5G时代的射频器件中，砷化镓的材料优势更加显著。随着5G基站建设的大量铺开，将对砷化镓衬底的需求带来新的增长动力；与此同时，单部5G手机所使用的射频器件数量将较4G手机大幅增加，也将带来对砷化镓衬底需求的增长。
（2）激光器
激光器是使用受激辐射方式产生可见光或不可见光的一种器件，构造复杂，技术壁垒较高，是由大量光学材料和元器件组成的综合系统。利用砷化镓电子迁移率高、光电性能好的特点，使用砷化镓衬底制造的红外激光器、传感器具备高功率密度、低能耗、抗高温、高发光效率、高击穿电压等特点，可用于人工智能、无人驾驶等应用领域。
砷化镓产品核心技术
鑫耀半导体采用目前世界先进的VGF法单晶生长技术和晶片加工技术，掌握4-8英寸砷化镓单晶片生产关键技术：VGF法砷化镓单晶生长炉的设计制造技术以及生长炉的热场设计技术、VGF法4-8英寸化镓单晶生长工艺技术和4-8英寸高平整度开盒即用砷化镓单晶片的加工技术。公司半导体、半绝缘衬底产品的位错密度、电阻率均匀性、平整度、表面颗粒度等关键性能指标优异，可满足5G射频功率放大器、可穿戴设备传感器、车载激光雷达、生物识别激光器等高端市场对半导体衬底产品的性能要求。公司为全球范围内少数产品可以应用于高端市场的 III-V族化合物半导体衬底企业之一。
2.磷化铟产品
鑫耀半导体的主营产品磷化铟衬底，规格为2-6英寸。磷化铟（InP）作为重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料之一，是继Si（硅）、Ge（锗）、GaAs（砷化镓）之后的新一代电子功能材料。磷化铟具有诸多优点：较高的电光转换率、饱和电子漂移速度和电子迁移率，导热性好、抗辐射能力强，发光波长适宜光纤低损通信等。这些特征决定了其在射频、光电子、移动通信、数据通信等多项领域的广泛应用。未来，在数据中心、5G通信、可穿戴设备等新兴市场需求的带动下，磷化铟衬底市场规模将持续扩大，成本也将随着规模效应而降低，进一步促进下游应用领域的发展。
磷化铟衬底主要应用的下游器件包括光模块器件、传感器件、射频器件，对应下游终端领域包括5G通信、数据中心、人工智能、无人驾驶、可穿戴设备等。
（1）光模块器件
光模块是光通信的核心器件，是通过光电转换来实现设备间信息传输的接口模块，主要应用于通信基站和数据中心等领域。磷化铟衬底用于制造光模块中的激光器和接收器。
5G通信是具有高速率、低时延和大连接特点的新一代宽带移动通信技术。5G基站对光模块的使用量显著高于4G基站，随着5G基站建设的大规模铺开，叠加 5G 基站网络结构的变化，将极大带动对光模块需求的增长。
数据中心主要服务于云计算厂商、大型互联网企业、通信运营商、金融机构、政府机关等的数据流量需求。近年来随着移动互联网的普及，数据流量增长迅速，带动云计算产业蓬勃发展，刺激了数据中心建设需求的增长，同时带动了对数据中心光模块需求的增长。
受益于全球范围内5G基站大规模建设的铺开，以及在数据流量爆发增长的背景下，全球云计算产业的发展也将带动全球范围内数据中心的大量建设，全球光通信行业将迎来重要发展机遇期，从而产生对光模块需求的持续增长。在市场需求的带动及我国政府新基建等政策的影响下，全球光模块市场将保持快速增长态势。
（2）传感器件
由于磷化铟具备饱和电子漂移速度高、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度较高等特性，使用磷化铟衬底制造的可穿戴设备具备脉冲响应好、信噪比好等特性。因此，磷化铟衬底可被用于制造可穿戴设备中的传感器，用于监测心率、血氧浓度、血压甚至血糖水平等生命体征。此外，使用磷化铟衬底制造的激光传感器可以发出不损害视力的不可见光，可应用于虚拟现实（VR）眼镜、汽车雷达等产品中。
（3）射频器件
磷化铟衬底在制造高频高功率器件、光纤通信、无线传输、射电天文学等射频器件领域存在应用市场。使用磷化铟衬底制造的射频器件（以下简称“磷化铟基射频器件”）已在卫星、雷达等应用场景中表现出优异的性能。磷化铟基射频器件在雷达和通信系统的射频前端、模拟/混合信号宽带宽电路方面具有较强竞争力，适合高速数据处理、高精度宽带宽A/D转换等应用。此外，磷化铟基射频器件相关器件如低噪声放大器、模块和接收机等器件还被广泛应用于卫星通信、毫米波雷达、有源和无源毫米波成像等设备中。在100 GHz以上的带宽水平，使用磷化铟基射频器件在回程网络和点对点通信网络的无线传输方面具有明显优势，未来在6G通信甚至7G通信无线传输网络中，磷化铟衬底将有望成为射频器件的主流衬底材料。
3. 主要产品情况
 大会主题
探索材料新动能，智创未来芯发展
四、组织机构 指导单位：国家科学技术部
主办单位：中国有色金属学会
中国科学院半导体研究所
中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
承办单位：半导体照明联合创新国家重点实验室
北京第三代半导体材料及应用工程技术研究中心
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
协办单位：山西大学
中北大学
山西师范大学
名誉主席：曹健林（全国政协教科卫体委员会副主任、
国家科学技术部原副部长） 会议主席：李晋闽 （半导体照明联合创新国家重点实验室主任、
中国科学院半导体研究所研究员） 吴 玲 （第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、
中关村半导体照明工程研发及产业联盟理事长） 顾问委员会（按姓氏首字母排序）：陈良惠、褚君浩、范广涵、甘子钊、郝跃、侯洵、黄如、黄维、贾明星、李树深、刘纪美、刘明、罗毅、孙祥祯、王立军、王启明、王圩、王占国、夏建白、许宁生、杨德仁、叶志镇、郑婉华、郑有炓、祝宁华
程序委员会： 主 任：李晋闽（中国科学院半导体研究所）
张 荣（厦门大学）
江风益（南昌大学）
副主任：谭平恒（中国科学院半导体研究所）
沈兴全（中北大学）
许小红（山西师范大学）
委 员（按姓氏首字母排序）：毕文刚、蔡树军、曾一平、陈弘、陈弘达、陈敬、陈凯轩、陈堂胜、陈长清、程凯、单崇新、杜国同、杜志游、冯淦、冯志红、高焕芝、顾书林、郭浩中、郭世平、郭太良、郭伟玲、郭霞、韩仲、郝茂盛、郝智彪、胡晓东、康俊勇、黎大兵、李国强、李晓航、林科闯、刘斌、刘建利、刘俊、刘扬、刘玉怀、龙世兵、陆海、陆卫、骆薇薇、马杰、潘毅、申德振、沈波、唐景庭、王钢、王国宏、王向武、王晓亮、王新强、王英民、徐宸科、徐科、徐现刚、杨辉、云峰、张佰君、张保平、张国义、张进成、张乃千、张韵、赵德刚
组织委员会： 主 任：王军喜（中国科学院半导体研究所）
阮 军（中关村半导体照明工程研发及产业联盟）
副主任：魏同波（中国科学院半导体研究所）
刘志强（中国科学院半导体研究所）
委 员（按姓氏首字母排序）：蔡端俊、曹峻松、陈敦军、陈鹏、陈志涛、戴江南、董志江、耿博、胡卫国、黄凯、黄森、江灏、李金钗、李虞锋、李忠辉、梁庭、刘建平、宁静、孙海定、孙捷、孙钱、孙晓娟、唐宁、涂长峰、汪莱、汪连山、汪炼成、王光绪、王江波、王科、王茂俊、王申、谢自力、修向前、许福军、许晟瑞、闫建昌、杨树、杨学林、叶建东、伊晓燕、于彤军、张峰、张纪才、张源涛、张紫辉、赵璐冰、左然
组委会秘书：薛 斌（中国科学院半导体研究所）
郭亚楠（中国科学院半导体研究所）
五、会议注册费
1、普通代表（A类票）：
2800元（含会议文集、日程等会议资料及会议期间相关服务）
2、学生代表（B类票）：
2300元（与普通代表会议待遇相同，需要提交相关证件）
3、7月20日前，报名缴费可享受优惠：
普通代表2500元；学生代表2000元。（享受上述相同待遇及服务）
六、注册费缴费方式
1、通过银行汇款
开户行：中国银行北京科技会展中心支行
账 号：336 356 029 261
名 称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
2、线上缴费（微信或支付宝支付）
 （*备注：支付时请务必备注参会人员的单位和姓名，以便查询及开具发票。）
3、现场缴费（接受现金和刷卡）
七、联系人：
征文咨询：薛老师：010-82305304 E：xuebin@semi.ac.cn
参会咨询：芦老师：010-82380580 E：lul@gdzrlj.com
会议合作：张小姐：13681329411 E：zhangww@gdzrlj.com
贾先生：18310277858 E：jiaxl@gdzrlj.com |
