东部高科将建8英寸SiC产线，目标2025年供应车用1200V SiC MOSFET

半导体产业网获悉，东部高科副会长Chang-sik Choi在最近举行的韩国半导体显示技术学会20周年纪念活动上表示，公司计划在位于忠清北道的8英寸晶圆厂建设新一代功率半导体生产线，目标是在2025年生产并向成品汽车供应首款1200伏 SiC MOSFET。

据ETNews报道，东部高科目前正在测试和生产6英寸功率半导体，该项目被韩国工业通商资源部选为8英寸SiC MOSFET量产基地建设项目。Chang-sik Choi强调说：“生产日程有可能会提前。”“正在积累6英寸功率半导体的生产技术。”