中村修二：下一代半导体照明

在业界热烈的欢庆声中，2013年11月11日下午，备受全球瞩目的半导体照明产业年度盛会——第十届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL2013)正式拉开帷幕，来自全球半导体照明业界各方专家学者、政府领导、行业精英齐聚京城，共商产业发展大计。

在开幕式的论坛环节中，首先由获得全球半导体照明突出贡献奖之一的蓝光、绿光和白光LED发明人，美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二先生为在场嘉宾和代表们带来了精彩报告：“下一代半导体照明”，引起大家关注。

中村修二首先对第一代LED和第二代LED进行了对比，第一代是在碳化硅和硅基底上的LED，而第二代LED则是基于氮化镓基底，二者比较而言，用氮化镓做基底的第二代LED较第一代有很大的提高，如电流密度、温度都有很大提高。“在性能方面，我们采用非极化和半极化的方式进行研究，并在2007年有了更大的突破，可以实现降低50%成本，发光率则增长50%。”

中村修二进一步表示，氮化镓基底没有以往那些晶体的缺陷，不仅能提高电流密度，还可以使散热增加0.4%～0.5%，因此用氮化镓做基底的LED将更加明亮。除此之外，用氮化镓还能减少LED的数量，做出非常漂亮的点光源，并可以达到75W卤素灯的水平，而且输入功率只有12W，“我们也将其称之为激光灯，未来将非常有潜力，主要原因在于激光灯的效率非常高，电流效率是10～100A/cm2，而且芯片非常小。”

最后，中村修二强调指出，氮化镓比蓝宝石基底的LED更好，而且成本也有所下降，能够满足现有LED技术要求，其电流密度可比以前增加10倍，照明质量更高。同时，使用氮化镓还可以采用非极化和半极化的平面，以提高它的效率。“下一代半导体照明很可能是激光照明，虽然目前还没有大规模使用，但LED灯与激光灯比较，效率下降小、电流密度增加许多，所以激光照明会是未来的一个发展趋势。”中村修二表示。