加拿大研究人员:宽禁带钙钛矿量子点及在天蓝LED的应用

时间:2022-07-05来源:佚名
钙钛矿基质在量子点(QD)上的外延生长使高效红光发光二极管(LED)得以出现,因为它将高效电荷传输与强大的表面钝化结合起来。然而,到目前为止,在天蓝LED的情况下,在基质异质结构中合成宽带隙(Eg)量子点仍然是难以捉摸的。

在这里,来自加拿大的研究人员开发了钙钛矿基质固体中的CsPbBr3量子点,该量子点具有较高的发光效率和光谱稳定性,光学Eg超过2.6 eV。筛选了调节钙钛矿Eg并允许异质外延的候选合金,试图实现晶格匹配的I型能带排列。由这种材料制成的LED显示出13.8%的外部量子效率和超过6000 cd m 2的亮度.相关论文以题目为“Wide-Bandgap Perovskite Quantum Dots in Perovskite Matrix forSky-Blue Light-Emitting Diodes”于2022年发表在J. Am.Chem. Soc.期刊上。

论文链接:

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.1c12556

加拿大研究人员:宽禁带钙钛矿量子点及在天蓝LED的应用


在卤化铅钙钛矿(APbX3)基质中加入量子点(QD)可以实现高效的电荷传输和表面钝化,从而实现高效和稳定的光电子学。已经开发了3种基于基质固体中钙钛矿量子点的红光发光二极管(LED),在初始亮度为100 cdm时,其外部量子效率(EQE)超过18%,工作寿命(T50)超过2000 h。这种方法为高效稳定的钙钛矿光电器件打开了大门。就钙钛矿型天蓝色LED而言,稳定性和EQE仍远低于商业化标准。Eg>2.55 eV的强约束CsPbBr3量子点可实现蓝色发射。将宽禁带钙钛矿量子点嵌入钙钛矿基质中,从而为高效的天蓝色LED提供了一条途径。

基质固体中量子点的有效电荷输运要求基质和嵌入量子点之间的I型能带对准,要求基质的Eg大于量子点的Eg。混合>30%的Cl可将CsPbBr3基钙钛矿的Eg调谐到2.6 eV以上。然而,高Cl含量导致混合Cl/Br钙钛矿的卤化物偏析(图1A)。混合Cl/Br钙钛矿基质和CsPbBr3量子点之间的晶格失配使得这些材料容易因[PbBr6]4的外延生长而发生不均匀结晶。因此,研究了改变钙钛矿基质中的阳离子如何在不引入晶格畸变的情况下调节Eg。我们发现Sr合金钙钛矿的Eg>2.6eV。同时,由于Sr2 和Pb2 具有相似的尺寸,钙钛矿的晶格几乎保持不变。

然而,Sr2 的使用带来了一个化学挑战:Sr2 的吸湿性导致空气中快速形成SrBr2-xH2O,并分解混合Sr/Pb相。通过结合分子动力学(MD)模拟和实验结果,我们发现了一种新的钝化剂,双(4氟苯基)苯基氧化膦(DFPPO);DFPPO与位于钙钛矿表面的Sr2 阳离子强烈配位,并提供足够的空间位阻,防止H2O侵入钙钛矿晶格。(文:爱新觉罗星)

加拿大研究人员:宽禁带钙钛矿量子点及在天蓝LED的应用

图1(A)混合Cl/Br钙钛矿中卤化物分离示意图。(B)PL光谱。(C,D)XRD图谱。

加拿大研究人员:宽禁带钙钛矿量子点及在天蓝LED的应用

图2(A)上图:Eg位移。中间:PL光子能量比较。底部:离子半径比较。(B)PL光谱。(C)PL光谱跟踪。(D)XRD图谱。(E)Sr2 阳离子解离示意图。

加拿大研究人员:宽禁带钙钛矿量子点及在天蓝LED的应用

图3(A)Sr/Pb混合基质固体中CsPbBr3量子点的TA光谱。(B)P2(基质)和P3(QD)动力学轨迹。(C)混合Sr/Pb矩阵LED的代表性亮度和电流密度性能与QD产生的应用偏压。(D)EQE。

    相关阅读

    中国台湾研究员:开发了新的近红外发射FAPbI3量子点,实现15.4%的钙钛矿基NIR

    近年来,钙钛矿型量子点(QDs)和基于量子点的发光二极管(QLEDs)的性能有了很大的提高,绿色和红色发光的电致发光(EL)效率超过20%。然而,钙钛矿近红外(NIR)QLED的发展已经停...
    2022-07-25
    中国台湾研究员:开发了新的近红外发射FAPbI3量子点,实现15.4%的钙钛矿基NIR

    合肥工大蒋阳课题组在量子点电致发光器件(QLED)领域取得新进展

    近日,合肥工业大学材料科学与工程学院蒋阳教授课题组在钙钛矿量子点电致发光器件(QLED)领域取得了记录效率的突破,相关研究成果“Enriched-bromine surface state for stable sky-blue spectr...
    2022-08-23
    合肥工大蒋阳课题组在量子点电致发光器件(QLED)领域取得新进展

    至芯半导体成功研制日盲深紫外器件

    至芯半导体成功研发出AlGaN的高灵敏日盲型深紫外光的光电探测器,相关成果已申请发明专利(申请号: 202210045910.6),这一成果为实现高性能日盲深紫外光电探测器和图像传感提供了一...
    2022-08-23
    至芯半导体成功研制日盲深紫外器件

    南方科技大学孙小卫教授课题组AOM:溴离子钝化高效蓝光InP量子点材料与器件研

    半导体照明网获悉:近日,南方科技大学孙小卫课题组通过低温成核、高温包覆的方法成功制备了基于溴离子钝化的高效蓝光InP量子点材料,同时通过配体工程,将长链的十二硫醇配体...
    2022-06-15
    南方科技大学孙小卫教授课题组AOM:溴离子钝化高效蓝光InP量子点材料与器件研

    浙大金一政团队和华南理工大学黄飞/应磊团队合作在量子点发光二极管研究方

    近日,浙江大学金一政课题组、王林军课题组与华南理工大学黄飞 / 应磊团队合作,在高性能蓝、绿光量子点发光二极管( QLED )的开发上取得进展。研究者揭示了无机量子点 / 有机高...
    2022-05-23
    浙大金一政团队和华南理工大学黄飞/应磊团队合作在量子点发光二极管研究方

    厦大张荣教授团队与台交大郭浩中教授团队合作:Micro LED色转换研究领新进展

    随着人工智能、图像识别和5G通信技术的快速发展,增强现实(AR)和虚拟现实(VR)技术正以惊人的速度发展。新冠疫情背景下,远程办公和远程消费交互日益增加,市场再次将注意力转向...
    2022-07-27
    厦大张荣教授团队与台交大郭浩中教授团队合作:Micro LED色转换研究领新进展

    剖析丨InP衬底的制备以及产业化现状

    磷化铟(InP)目前已成为光电器件和微电子器件不可或缺的重要半导体材料。本期1°姐将为大家详细介绍InP单晶衬底的制备以及产业化现状。 一、InP性能简介 磷化铟(InP) 是一种具有...
    2021-05-23
    剖析丨InP衬底的制备以及产业化现状

    福州大学和中科院宁波材料所专家:为实现高性能超高分辨率QLEDs提供一条途径

    随着对更高像素的需求不断增长,下一代显示器对分辨率和色域有着挑战性的要求。为了满足这一需求,量子点发光二极管(QLEDs)薄膜技术实现了每英寸9072–25400像素的超高像素分辨率...
    2022-07-06
    福州大学和中科院宁波材料所专家:为实现高性能超高分辨率QLEDs提供一条途径

    网站栏目