苏州纳维发布设备辅材、衬底外延、器件加工限时优惠福利活动 5折起

2022年8月15日-18日，第十七届全国MOCVD学术会议将在中国·太原·湖滨国际大酒店举行。本届会议以“探索材料新动能 · 智创未来芯发展”为主题，与会专家学者、工程技术人员及企业家将在MOCVD生长机理与外延技术、MOCVD设备（整机/部件/配件/原材料）、材料结构与物性、光电子器件、电力电子器件、微波射频器件、LED智能照明与物联网、半导体激光器、光伏/光探测器、可见光通信技术等领域开展广泛交流，了解发展动态，促进相互合作。同时将有来自国内外的半导体关键设备、衬底材料、外延芯片、测量、检测、石墨国内外知名厂商参加此次会议，助力MOCVD关键设备及技术产学研用合作，加速先进光电技术与智能绿色制造国产化进程。

据了解，苏州纳维科技有限公司将参与本届论坛，并为助力论坛，特别推出设备辅材、衬底外延、器件加工等产品福利活动，提供超值优惠的设备辅材，衬底外延片，同时提供五折器件加工服务，活动时间：2022/8/10-8/31。

资料显示，苏州纳维科技有限公司成立于2007年，专注于高质量氮化镓半导体单晶材料的生长，致力于氮化镓（GaN）单晶衬底的研发与产业化实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键技术，现在是国内和国际少数几家之一能够批量提供2英寸氮化镓单晶产品的单位；氮化镓产品性能综合指标国际领先，未来3年重点实现将技术先发优势转化为在全球的市场优势。

苏州纳维创办以来，在江苏省重大成果转化项目、苏州市各级人才项目支持下，经过10年攻关完成了从材料生长设备的自主研发到GaN单晶衬底生长制备的完整工艺开发，2英寸GaN单晶衬底的位错密度降低到10⁴cm²，达到世界领先水平，期间相继得到科技部863项目和国家发改委产业化示范项目的支持；近两年完成了4英寸和6英寸GaN单晶衬底的关键技术研发。目前GaN单晶衬底产品已经提供给300余家客户使用，基本完成了对研发市场的占领，正在提升产能向企业应用市场发展，重点突破方向是蓝绿光半导体激光器、高功率电力电子器件、高可靠性高功率微波器件等重大领域。申报相关核心专利40余项