第十七届全国MOCVD学术会议在山西太原隆重召开

半导体产业网讯：三十四年的传承与积淀，两年一次的相聚与畅谈。8月16日，以“探索材料新动能 · 智创未来芯发展”为主题的第十七届全国MOCVD学术会议在山西太原盛大开幕。

开幕大会现场

山西省副省长于英杰，中国科学院院士侯洵，中科院院士、西安电子科技大学教授郝跃，中科院外籍院士、中科院北京纳米能源所所长王中林，国家汉办原主任许琳，厦门大学党委书记、教授张荣，中北大学党委书记、教授沈兴全，太原市委副书记、市长张新伟，科技部发展计划司原司长王晓方，国际半导体照明联盟（ISA）、科技部国际合作司原司长靳晓明，科技部高新技术司原司长秦勇，中国有色金属学会理事长贾明星，第三代半导体产业技术创新战略联盟与中关村半导体照明工程研发及产业联盟理事长吴玲，基金委信息学部副主任何杰，科技部高新司材料处调研员曹学军，中科院半导体研究所副所长薛春来，中国科学院苏州纳米所研究员徐科，北京大学理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任、教授沈波等领导以及一大批业界资深专家、教授和优秀中青年学者出席本次会议。来自MOCVD技术领域重量级专家、机构嘉宾、学者、企业家代表近700余人参与本次学术盛会。大会开幕式由大会主席、中国科学院半导体研究所李晋闽研究员主持。

半导体设备与材料多年来一直被视为中国集成电路产业自主发展的一大瓶颈和短板。随着国内新一轮集成电路投资扩产热潮的兴起，半导体设备需求也水涨船高。MOCVD作为半导体产业最为核心的重大装备之一，其技术进步是学术界与产业界一直以来共同关注的话题。

本届会议由国家科学技术部、山西省科学技术厅指导，太原市人民政府、中国有色金属学会、中国科学院半导体研究所、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）联合主办，半导体照明联合创新国家重点实验室、北京第三代半导体材料及应用工程技术研究中心、山西中科潞安紫外光电科技有限公司、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办，中北大学、太原理工大学、山西师范大学、山西浙大新材料与化工研究院协办。

其中，陕西科技大学材料原子·分子科学研究所、中科潞安、中微公司、云南鑫耀、AIXTRON SE、马尔文帕纳科、南大光电、上海先普、Horiba堀场、中镓半导体、中晟光电、康鹏半导体、赛微仪器、纳维科技、志橙半导体、伯奢咏怀、承明光电、中拓光电、赛默飞、正通远恒、金竟科技、鹏城半导体、尚勤光电、镓特半导体、颐光科技、中博芯、芯港半导体、佰技奥、六方碳素、聚睿众邦、凯威碳、力冠微电子、上海汇析、兴晟新材料、德智新材、嘉仪通科技、江苏第三代半导体研究院等来自半导体关键设备、衬底材料、外延芯片、测量、检测、石墨国内外知名厂商参加此次会议，助力MOCVD关键设备及技术产学研用合作，加速先进光电技术与智能绿色制造国产化进程。会议围绕“探索材料新动能 · 智创未来芯发展”这一主题开展广泛又深入的交流探讨。

山西省副省长于英杰、全国政协教科卫体委员会副主任、原科技部副部长曹健林，太原市委副书记、市长张新伟，中国有色金属学会理事长贾明星、中科院半导体研究所副所长薛春来等通过线上线下方式为大会开幕致词。

山西省副省长于英杰出席大会并致辞

山西省副省长于英杰致辞时表示，近年来随着云计算，大数据，区块链，人工智能等技术加速创新，电子信息产业发展进入了新一轮的升级变革期，集成电路行业发展迅猛，半导体市场需求日趋旺盛。当前我国正处在发展半导体产业的战略机遇期，市场需求潜力巨大。山西正大力加强科技创新，在新基建、新技术、新材料、新装备，新产品，新业态上不断取得突破，并将半导体产业作为十四个战略性新兴产业之一，打造了中国电科，长治光电产业园等多个半导体产业集聚区，培育了一批骨干企业，产业规模从无到有，在碳化硅衬底材料，关键装备，LED等产业链关键环节已具备一定的特色和优势。国家科技部已正式批复国家第三代半导体技术创新中心山西中心的建设，山西省政府也明确将第三代半导体产业链作为“十四五”期间倾力打造的十条重点产业链之一，未来将充分发挥比较优势，营造良好发展环境，走出一条具有山西特色的半导体集成电路产业发展之路。聚力协同创新，产业集聚，筑巢引凤，优化人才引进政策，加快布局创新平台和基地，为人才集聚创造良好条件。

全国政协教科卫体委员会副主任、原科技部副部长曹健林为大会致辞

全国政协教科卫体委员会副主任、原科技部副部长曹健林采用线上方式为大会致辞。他表示，MOCVD技术支持并引领了化合物半导体的发展，已成为第三代半导体材料及器件不可或缺的关键技术，我国MOCVD技术也经历了一段长期的历史发展过程。第三代半导体材料在国内的成长可以说是现代科学技术在发展中国家成长普及，并不断走向更大更广应用的典型。过去20多年是中国第三代半导体产业和MOCVD大发展的一段特殊的历史时期，我们在很多领域都走在了世界前列，我国的高新技术在不断的向中西部地区扩展。山西省非常重视相关技术的发展，并把它作为新技术成长的一个代表，也希望有更多新的研发成果和产业技术被带到山西，促进山西高新技术发展不断取得成功。

太原市委副书记、市长张新伟出席大会并致辞

太原市是悠久的历史文化积淀，创新资源集聚，创新要素齐备。太原市委副书记、市长张新伟致辞时指出，近年来太原市全面落实省委省政府聚全省之力，支持太原打造创新高地的部署要求，深入实施创新驱动发展战略，全力打造一流创新生态，支持引领全方位高质量发展。设立了20亿元的科技创新专项资金，加快推进市场化，专业化和科技成果转化，全力支持企业创新发展，大力推进第三代半导体国家技术创新中心的建设，为科技创新提供一流平台，全面实施重大科技项目揭榜挂帅制，发掘更多的科研“千里马”，加快推动重点项目建设，打造半导体全产业链，促进创新链和产业链融通发展，积极创造产业发展的良好环境。全国MOCVD学术会议是推动我国MOCVD学术研究、技术进步和第三代半导体产业高质量发展的重要力量。也欢迎希望更多优秀企业和人才到太原创新创业创造。

中国有色金属学会理事长贾明星为大会致辞

MOCVD技术已在各类重要化合物材料与器件制备上得到了广泛的应用，极大推动了各类光电子和微电子器件的发展和产业化。中国有色金属学会理事长贾明星致辞时表示，我国有色金属行业通过产学研用技术攻关，自主创新等努力，不断突破技术瓶颈，逐步缩小了与国际先进技术水平的差距，迅速实现了产业的升级。新世纪以来，在国家创新技术的指引下，我国有色金属行业实现了跨越式发展，取得了一批重要的科研成果，研发了一批具有领先水平的工艺，技术和装备。今年以来，面对复杂的国内外环境，有色金属行业运行保持总体向好的态势。不过，有色金属工业仍然面临能源资源的制约和高性能材料发展落后的短板，特别是装备依然依赖进口。尽快突破第三代半导体材料及器件制备关键技术是半导体广大科技工作者的光荣使命和历史责任，希望科研力量多多交流，为推动MOCVD技术和半导体材料的发展贡献力量。

中科院半导体研究所副所长薛春来为大会致辞

从上个世纪五六十年代开始，我国已将半导体技术列为国家重要的新技术之一，中科院半导体研究所副所长薛春来致辞表示，中国科学院半导体研究所建所60多年来始终践行半导体国家队的使命担当，在我国半导体发展的各个历史阶段都曾做过重要贡献，在半导体基础物理，核心材料和关键器件与系统集成等领域取得了一系列重大突破，有力推动了我国半导体科研及产业的创新发展。近年来深紫外LED相关科研成果也在山西落地生长，并取得了显著的社会和经济效益，为山西的创新驱动转型发展做出了积极贡献。当前，国际形势风云变幻，面对日益严峻的科技博弈，科技自立自强已成为抓住重大战略机遇应对风险挑战的必然选择，希望广大半导体人共同为我国MOCVD和化合物半导体科技产业的发展建言献策，发展新理念，带来新动力。

在大会主题报告环节，大会主席、中国科学院半导体研究所李晋闽研究员与第三代半导体产业技术创新战略联盟、中关村半导体照明工程研发及产业联盟理事长吴玲共同主持。

大会主席、中国科学院半导体研究所李晋闽研究员主持大会报告环节

大会主席、第三代半导体产业技术创新战略联盟、中关村半导体照明工程研发及产业联盟理事长吴玲主持大会报告环节

中国科学院院士、西安电子科技大学郝跃教授带来了“超宽禁带半导体器件与材料的若干新进展 ”的主题报告；中科院外籍院士、中国科学院北京纳米能源与系统研究所王中林院士带来了“第三代半导体中的压电电子学与压电光电子学“的主题报告；厦门大学校长张荣教授介绍了氮化物半导体基 Micro-LED显示技术新进展；大会主席、中国科学院半导体研究所李晋闽研究员带来了“氮化物深紫外LED光源助力公共卫生安全 ”的主题报告。几大精彩主题报告，从技术、应用、产业，趋势等角度，前沿与务实，广度与深度结合，为技术和产业发展带来新的思路与视角。

中科院院士、西安电子科技大学教授郝跃分享大会报告

宽禁带和超宽禁带半导体材料和器件是当前和未来重要的研究领域和有挑战性的方向，是高能效电子器件发展的重要代表，并逐渐引起各方的重视，国际上针对金刚石和氧化镓为代表的超宽禁带半导体材料也开始呈现出新的竞争对抗态势。郝跃院士在报告中具体详细分享了代表性的氧化镓半导体材料与器件，金刚石半导体材料与器件，高AI-AIGaN器件等材料器件国内外的最新技术水平、研究进展以及国内研究力量的最新研究成果，技术难点的解决方案和应用进展。郝院士表示，超宽紧带半导体有其自身独特的优势，应用也逐渐向好的方向发展，会有很好的发展前景，也建议国内企业多关注超宽禁带材料的研究。

中科院外籍院士、中科院北京纳米能源所所长王中林分享大会报告

宽禁带材料具有非中心对称的晶体结构，因而表现出显著的压电特性，长期以来这些材料中压电极化电荷和半导体特性的耦合过程被忽略。近年来对于压电电子学和压电光电子学的基础及应用研究取得了快速地发展。多种功能材料中的压电电子学和压电光电子学的基本效应得到了系统深入地研究，相关的理论体系得以建立，诸多压电电子学和压电光电子学器件也被设计研发。会上，王中林院士带来了压电学理论与研究成果的分享，报告结合具体的数据内容，分享了当前压电学的研究进展与最前沿的研究成果，涉及压电学的多种效应，同时从压电学与第三代半导体材料和应用发展关联性的原理角度，带来不同新视角的启发。

厦门大学党委书记张荣教授分享大会报告

第三代半导体材料在不同领域的应用非常广泛，其中，LED可以说是其第一个较成熟的应用突破口，伴随着“元宇宙”等新时代的展开，Micro-LED显示应用又迎来了一波新的发展机遇，作为应用的支撑，技术的发展水平非常重要。张荣教授带来了其带领的团队在氮化物半导体基显示技术方面的最新研究和研究成果。报告结合Micro-LED的优势与挑战，从外延结构设计、芯片制备、全彩化方案、系统集成、纳米LED等方面详细分享了团队最新的多个研究发现和研究成果。研究提出并实现了AI辅助外延结构设计方法，采用侧壁修复钝化及离子注入等方法大幅提升了Micro-LED器件性能。成功实现了氮化物红光Micro-LED，量子点色转换红光Micro-LED等全彩化技术。开发出多款新型集成技术，采用多种方法，实现系列纳米LED。

大会主席、中国科学院半导体研究所李晋闽研究员分享大会报告

当前，人们对于绿色、环保、安全的重视度在不断的提高，随着全球化加速发展，公共卫生风险对人口流动和经济活动造成前所未有的限制，防范和化解重大疫情和突发公共卫生风险的重要性不言而喻。基于第三代半导体氮化镓材料的紫外LED光源具有节能环保、寿命长、开启速度快、辐射强度可控、光谱可定制等优势，成为维护公共卫生安全的重要力量。紫外LED是半导体光电产业发展的新蓝海，“双碳”战略也给包括紫外LED产业在内的绿色环保节能产业带来新的发展契机。当前氮化物深紫外LED仍面临来自深紫外专用的MOCVD设备，低缺陷密度的高AI组分氮化物材料、深紫外波段的封装材料与工艺等方面的技术挑战。李晋闽研究员在报告中全面详细分享了氮化物深紫外LED技术研发进展与发展趋势，氮化物深紫外LED应用示范与产业机遇。报告指出，未来氮化物深紫外LED技术将向新型高效量子结构设计、量子阱极性调控技术、高电导率透明p型AIGaN层制备技术，纳米结构深紫外波段透明等方向发展。应用领域也将呈现多场景多样态以及平台化等趋势。

除了精彩的开幕式报告，大会还同期设置了“材料生长及物性表征 ”、“光电子材料与器件 ”、“功率电子与射频电子器件”及“新兴半导体材料及应用”四个主题分会，并有POSTER交流和企业展览展示。前沿研究内容与应用展示结合，前瞻性与落地性兼顾，尽力为与会嘉宾和青年科研代表提供前沿技术研究进展以及更多的研发视角。

现场交流

此次大会同时开通了开闭幕式精彩主题报告现场直播，更有图片直播实时呈现，与业界共享精彩内容，更多详细丰富内容可扫码观看：

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