国星发现

国星光电在致力于打造高可靠性及高品质优势的“专业三代半功率封测企业”的路上迈出了新的一步。

8月13日，国星光电发布公告称，公司拟以2.69亿元收购广东风华高新科技股份有限公司持有的广东风华芯电科技股份有限公司（以下简称“风华芯电”）99.87695%股权，以实现公司在半导体领域补链强链，做强第三代半导体业务。

高工LED注意到，若是此次交易完成后，国星光电将持有风华芯电99.87695%股权，风华芯电将纳入国星光电合并报表范围。

国星光电方面表示，此次收购是为了抢抓行业发展新机遇，发挥资源优化配置效应，结合公司“十四五规划”关于拓展第三代半导体产业的布局。

在过去的两年里，国星正式推出一系列第三代半导体新产品，已经形成了3大产品系列，包括：SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率模块。

随着航天航空、汽车等电力电子领域的发展，尤其是新能源汽车的快速发展，半导体市场持续不断升温的当下，国星的又一次动作，背后则是第三代半导体新战事的又一番角力。如何能够在“三代半封测”领域获得更多的市场份额？这往往需要持续加大第三代半导体的研究开发和技术成果转化。

而在这方面，国星也正在给出自己的解法。

掘金市场的新风口

新能源汽车赛道造新的风口，数量庞大的半导体元器件正在直撑起了一片千亿的市场。

根据《2020“新基建”风口下第三代半导体应用发展与投资价值白皮书》显示：2019年我国第三代半导体市场规模为94.15亿元,2019-2022年将保持85%以上平均增长速度,到2022年市场规模将达到623.42亿元。

作为一家成立超过五十年的LED封装龙头上市公司，国星在第三代半导体领域也发展得很早。

早在2020年，国星便启动了组建功率器件实验室及功率器件产线的工作。“三代半封测”继承了国星“LED封测”优良品质监控系统及行业口碑，致力于打造高可靠性及高品质优势的“三代半功率器件封测企业”。

此次收购风华芯电99.87695%股权，正是国星实现在半导体领域补链强链，做强第三代半导体业务做出的又一关键性举措。

资料显示，风华芯电是一家专门从事半导体分立器件及集成电路研发、生产和销售的国家级高新技术企业，产品主要应用于照明电路类、消费电子类、计算机类、通讯电信类、工业自动化系统、汽车电子类等领域。

2021年风华电芯实现营收2.85亿元，净利润为3178.91万元。

国星光电方面认为，本次股权收购，可以使公司快速切入化合物半导体封测环节，推动公司新赛道上的快速发展。

同时，交易完成后，国星光电在LED半导体芯片及封装领域的技术研发能力和市场开拓能力可助推风华芯电快速发展，随着未来国星光电与风华芯电的业务联动，风华芯电的经营业绩有望逐步释放，有利于国星光电经营业绩及综合盈利能力提升。

国星光电在2021年年报中也透露，公司紧抓国产化机遇，全面发力第三代半导体封测技术，推出SiC功率分立器件、SiC功率模块、GaN器件三大系列产品。

其中，SiC功率模块及GaN器件新品实验线已投入生产运作，可迅速响应对接客户个性化的需求；SiC功率分立器件产品产线已投入使用，并完成了多个合作商的试产订单。

同时，国星光电还积极布局三代半上游外延芯片领域，子公司国星半导体现已具备硅基GaN芯片相关技术储备，并积极与高校和研究所展开GaN功率器件等的研发工作，并参与了两项第三代半导体方向的省级研发项目。

如今，国星光电以“技术研发及创新”为中心，三大系列产品为媒，让下游应用市场注意到国星三代半背后的品牌价值主张，这同样可以解释，为什么关注到这一风口的并非只有国星光电一家，但唯有国星光电全力以赴脱颖而出。

一家“三代半封测”企业的潜力

以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体市场正被逐渐打开，而国星光电在这一市场的成绩和未来巨大潜力越来越被外界认可和关注。

“是金子总会发光的”。国星光电三代半过硬的产品品质和对市场的精准洞察，吸引了大批客户和合作品牌，而一个又一个明星产品就是最有力的证明。

2021年初，国星光电正式推出SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率模块等一系列第三代半导体新产品，在新的赛道上迈出了坚实的步伐。

据了解，国星光电SiC功率器件小而轻便，反向恢复快、抗浪涌能力强、雪崩耐压高，拥有优越的性能与极高的工作效率。目前该领域已形成了2条SiC功率器件拳头产品线：SiC-MOSFET、SiC-SBD；拥有4种封装结构（TO-247、TO-220、TO-263、TO-252）；可广泛应用于大功率电源、充电桩等工业领域。

而国星光电的GaN-DFN器件具有更高的临界电场、出色导通电阻、更低的电容等优势，使其尤适用于功率半导体器件，降低节能和系统总成本的同时，工作频率更高，具有极高的功率密度和系统效率，可极大地提升充电器、开关电源等应用的充电效率，广泛应用于新能源汽车充电、手机快充等。

国星光电第三代半导体功率模块，采用自主创新的架构及双面高效散热设计，具有优越的电性能和热性能，杂散电感低、转换效率高、轻载损耗小等优势，其功率密度大，产品体型小，可广泛应用于各种变频器、逆变器的工业领域。

2022年初，国星光电针对充电桩、UPS不间断电源等工业类领域，对标国内外行业龙头，推出了包括有NS34m、NS62m、NSECO以及NSEAS系列封装的SiC功率模块。

同时瞄准快充市场，推出E-mode的650V/10A GaN-DFN5*6 GaN器件。

最值得注意的是，国星光电还对SiC功率分立器件进行了新升级。完成了TO-247、TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6五种优势封装结构的开发。该产品以TO系列为主，目前已建立主流650V系列与1200V系列SiC MOSFET和SiC SBD两个产品系列，可应用于光伏逆变、工业电源、新能源汽车、充电桩、轨道交通及智能电网等领域的电力转换装置。

对于国星光电而言，它正以一种引领者的姿态，不断深挖第三代半导体背后的价值，丰富产品品类。未来国星光电可以围绕“三代半封测”构建一个拥有无限想象空间的大体系。