芯塔电子推出新一代SiC MOSFET，性能达到国际一流水平

芯塔电子新一代SiC MOSFET晶圆及器件

芯塔电子新一代SiC MOSFET基于XM2.0自主技术平台。技术团队历经数月的辛苦研究，针对芯片布局、结构、工艺进行全方面的设计优化，并与国内合作单位进行了多轮技术讨论、调试工作，快速完成芯片流片，取得预期的芯片测试结果。新一代产品的材料、设计、代工等环节均在国内完成，是真正意义上的纯国产化产品，加快了中国SiC MOSFET器件的国产化进程。

芯塔电子新一代SiC MOSFET选型表

技术团队通过优化设计，结合先进的晶圆减薄技术，进一步提高了器件的功率密度和效率，可以应用在更高频的环境，从而大幅降低外围电路电感、电容、滤波器和变压器的尺寸，对比前一代产品具有更小的芯片尺寸、更低的米勒电容、更高的抗干扰能力。新一代产品不但获得了更高的性价比，同时也改善了器件动态特性，获得了更低的开关损耗，以便满足市场对高性能、高可靠性的新能源汽车及高端工业领域功率半导体器件需求。

芯塔电子1200V/40mΩ SiC MOSFET性能参数

芯塔电子本次发布的 SiC MOSFET 器件低优值因子QG x RDS(ON) 是产品最大的亮点之一。优值因子数值越低说明器件的综合损耗越小，效率更高。在相同的测试条件下，芯塔电子 1200V/40mΩ SiC MOSFET的优值因子比国外C品牌低25%，在一众同类品牌中优势尽显。

芯塔电子MOS产品优值因子对比

通过与国外知名友商C公司竞品性能参数对比图可以看出，芯塔电子新一代1200V/40mΩ SiC MOSFET在导通电阻、栅电荷等方面展示出优良特性。在TJ=150℃时，芯塔电子产品的导通电阻的变化率为1.3、C公司为1.7，相对竞品更具优势和性价比。

1200V 40mΩ SiC MOSFET双脉冲对比测试波形图

1200V 40mΩ SiC MOSFET双脉冲对比测试数据

双脉冲测试结果来看，芯塔电子1200V/40mΩ SiC MOSFET与国外知名友商C公司的最新一代同规格竞品相比开通和关断更快，开通损耗降低14%，关断损耗降低18%。从短路电流测试结果来看，芯塔电子1200V/80mΩ SiC MOSFET在VDD = 600 V , VGS = 20 V , VGD = -5 V , RG = 25 Ω的测试条件下，短路时间≤5μs，短路电流为279A，达到国际一线品牌产品性能。

1200V 80mΩ SiC MOSFET短路电流测试

整体而言，芯塔电子 SiC MOSFET具有业内领先的优值因子系数，在应用环境中，具备损耗低、整体效率高的明显优势,器件多项性能及各项技术已经达到国际一流水平，可以很好的实现国产化替代。

芯塔电子新一代SiC MOSFET晶圆

SiC MOSFET是具有代表性的碳化硅功率器件，其高频、高效、高温的特性特别适合对效率或温度要求严苛的应用场景。相比于传统的硅基IGBT，SiC MOSFET可带来一系列系统级优化，包括提高效率、提升功率密度、降低冷却要求以及降低系统级成本，可广泛应用于新能源汽车、光伏储能、UPS、充电桩、功率电源等领域。下游需求不断扩大的态势下，芯塔电子的SiC器件将以国际先进的性能和高可靠性，满足诸多目标应用的需求，公司未来的发展前景也将会愈发广阔。

在行业竞争风起云涌的今天，赋予芯塔电子全新的战略定位。在全球化竞争的舞台上，芯塔人锐意进取，以全球化的视野和前瞻的思路，创新求变，顺应潮流。未来，芯塔电子将依托中国广阔的市场优势、强大的团队科研实力和行业资源植根安徽，打造新一代功率半导体民族品牌。不断加强国内产业链的合作和协同创新，持续推动第三代半导体产业技术进步，助力国家“双碳”战略。

芯塔电子是国内领先的第三代半导体功率器件和应用解决方案提供商，坚持以自主创新为核心，致力于先进半导体功率器件的国产化。公司拥有业界资深技术团队，创始人倪炜江博士是中国第三代半导体功率器件研发和量产的先驱者之一。核心团队来自浙江大学、中科院、海外知名院校及业界知名公司，具有深厚的产品研发能力和产业化经验。

产品应用领域：

风电光伏、高端电源、5G通讯、新能源汽车、充电桩、储能、电能质量治理、工业变频、白色家电等。

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