Silanna UV宣布在UVC-LED技术方面取得突破
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9月15日，Silanna UV宣布在UVC-LED技术方面取得突破，为消毒、水质监测、气体传感、液相色谱以及化学和生物等多种应用提供了巨大优势分析。 远优于传统UVC-LED 据了解，Silanna UV技术突破性专利在于短周期超晶格 (SPSL)方法克服了困扰竞争性AlGaN UVC-LED技术的许多困难。从本质上讲，Silanna UV有效地创造了一种新材料，一种纳米结构，它更容易控制，并且具有远优于传统AlGaN的特性。
据了解，多年来，UVC-LED制造商一直依赖于传统的AlGaN(铝氮化镓合金)配方。理论上，通过调整合金晶格中铝和镓金属的比例，可以调节带隙以产生从340nm到210nm的紫外发射，覆盖大部分紫外光谱。但实际上，低于260nm的发射需要高Al含量的AlGaN，这与GaN不同，很难实现理想的n型和p型掺杂，特别是在最短波长下，导致电性能差。另外由于发射光的偏振，高铝含量的AlGaN还存在光提取问题，导致光输出的显着损失，尤其是在240nm以下的远紫外范围内。 深紫外和远紫外LED更容易制造 为了克服UVC-LED技术中的这些问题，Silanna UV使用了一种不同的方法来产生紫外线。Silanna采用短周期超晶格(SPSL)技术代替常见的AlGaN方法。据悉，在这种方法中，不是使用粗糙的老式三元合金，而是精心构建AlN和GaN的交替层(多达数百层)以创建所谓的SPSL。与传统的三元合金不同，这种SPSL的关键特性——包括带隙和导电性——可以通过简单地调整组成层的厚度来进行微调。这意味着由高Al含量AlGaN引起的问题得到缓解——特别是旧方法的电特性差和短波长光损失。
SPSL技术使Silanna UV与UVC-LED竞争对手相比具有巨大优势，包括在较短波长下保持高功率、卓越的电气特性和出色的使用寿命性能。
Silanna UV指出，新的制造方法有望使深紫外和远紫外LED更容易制造，在更短的波长下更有效，并且更可靠。其中，涵盖235nm和255nm范围的LED已经投入生产,其他波长范围的产品预计将在不久的将来上市。 编辑：严志祥 来源：行家说UV |
