复旦大学魏大程团队研发一种综合性能优异、与全光刻工艺兼容的半导体性光刻
光刻是一种高精度制造技术,广泛应用于半导体行业。基于光刻的硅基电子制造工艺已达到5纳米技术节点,单颗芯片上晶体管数量已达百亿级。相比之下,基于溶液法加工的有机电子学微型化远远落后于硅基电子学。现有印刷有机电路的晶体管密度往往只有60 units cm-2。通过光刻加工有机电路所有部件(如有机半导体、电介质和导体)的全光刻工艺方案无疑是推进有机电子学微型化和高密度集成的有效手段。
目前,全光刻有机电子学取得的进展有限,主要受限于缺乏一种能够与光刻工艺深度兼容的有机半导体材料。如果能开发出兼具较高的光刻分辨率、电学性能和工艺稳定性的“半导体性光刻胶”,不仅能规避有机电子学光刻兼容性差的难题,还可极大简化有机电路加工流程。目前主流的可光交联有机半导体是基于侧链交联,其光刻分辨率、电学性能特别是工艺稳定性无法达到“半导体性光刻胶”的要求。
复旦大学高分子科学系聚合物分子工程国家重点实验室和复旦大学分子材料与器件实验室魏大程课题组长期致力于研究新型场效应晶体管材料、晶体管设计原理以及晶体管在光电、化学、生物传感等领域的应用。近日,魏大程课题组联合美国康宁公司报道了一种综合性能优异、与全光刻工艺兼容的“半导体性光刻胶”(SP-1)。6月18日,相关研究成果以《一种面向全光刻有机电子学的综合性纳米互穿结构半导体性光刻胶》“A Comprehensive Nano-Interpenetrating Semiconducting Photoresist Towards All-Photolithography Organic Electronics”为题发表于《科学-进展》(Science Advances)。
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