用硅胶封装、导电银胶粘贴的垂直倒装芯片易漏电

时间:2021-05-23来源:佚名

金鉴检测在大量LED失效案例总结的基础上,发现用硅胶封装、银胶粘结的垂直倒装芯片易出现漏电现象。这是因为,硅胶具有吸水透气的物理特性,易使导电银胶受潮,水分子侵入后在含银导体表面电解形成氢离子和氢氧根离子,银胶中的银在直流电场及氢氧根离子的作用下被离子化后产生正价银离子。同时,又由于该类垂直倒装芯片的阳极在底面、阴极在顶部,电流几乎从下到上垂直流经芯片,正价银离子顺电流方向芯片上部发生迁移,在芯片侧面形成枝晶状迁移路径,并最终桥连LED有源区P-N结,从而使芯片处于离子导电状态,造成漏电甚至短路故障。金鉴检测LED品质实验室积累大量失效分析案例,站在全行业角度上,有效预警,规范行业发展,帮助厂家规避质量事故的发生。

硅胶封装、银胶粘结的垂直倒装芯片漏电失效分析图

规避方法:

众所周知,Ag迁移产生的条件是存在湿气和施加直流电压,则导体电极材料中Ag可能被离子化,并从固晶区域经介质迁移到有源区侧面甚至上部电极附近,并最终导致芯片漏电或短路失效。因此金鉴建议:

1、LED封装厂慎用硅胶封装、银胶粘结垂直倒装芯片的灯珠结构。可选用金锡共晶的焊接方式将芯片固定在支架上,金锡合金比较稳定,不易发生离子迁移。

2、潮湿是引发离子迁移故障的重要诱因,采用此类灯珠的灯具应有防水特性。

案例分析:

某客户用硅胶封装,导电银胶粘结的垂直倒装光源出现漏电现象,委托金鉴查找原因。金鉴通过对不良灯珠分析,在芯片侧面检测出异常银元素,并可观察到银颗粒从底部正极银胶区域以枝晶状延伸形貌逐渐扩散到芯片上部P-N结侧面附近,因此金鉴判定不良灯珠漏电失效极有可能为来自固晶银胶的银离子在芯片侧面发生离子迁移所造成。银离子迁移现象是在在产品使用过程中逐渐形成的,随着迁移现象的加重,最终银离子会导通芯片P-N结,造成芯片侧面存在低电阻通路,导致芯片出现漏电流异常,严重情况下甚至造成芯片短路。银迁移的原因是多方面的,但主要原因是银基材料受潮,银胶受潮后,侵入的水分子使银离子化,并在由下到上垂直方向电场作用下沿芯片侧面发生迁移。因此金鉴检测建议客户慎用硅胶封装、银胶粘结垂直倒装芯片的灯珠,选用金锡共晶的焊接方式将芯片固定在支架上,并加强灯具防水特性检测。

金鉴在垂直结构芯片侧面可检测出异常的银元素并可观察到银颗粒

    相关阅读

    中国台湾研究员:开发了新的近红外发射FAPbI3量子点,实现15.4%的钙钛矿基NIR

    近年来,钙钛矿型量子点(QDs)和基于量子点的发光二极管(QLEDs)的性能有了很大的提高,绿色和红色发光的电致发光(EL)效率超过20%。然而,钙钛矿近红外(NIR)QLED的发展已经停...
    2022-07-25
    中国台湾研究员:开发了新的近红外发射FAPbI3量子点,实现15.4%的钙钛矿基NIR

    合肥工大蒋阳课题组在量子点电致发光器件(QLED)领域取得新进展

    近日,合肥工业大学材料科学与工程学院蒋阳教授课题组在钙钛矿量子点电致发光器件(QLED)领域取得了记录效率的突破,相关研究成果“Enriched-bromine surface state for stable sky-blue spectr...
    2022-08-23
    合肥工大蒋阳课题组在量子点电致发光器件(QLED)领域取得新进展

    至芯半导体成功研制日盲深紫外器件

    至芯半导体成功研发出AlGaN的高灵敏日盲型深紫外光的光电探测器,相关成果已申请发明专利(申请号: 202210045910.6),这一成果为实现高性能日盲深紫外光电探测器和图像传感提供了一...
    2022-08-23
    至芯半导体成功研制日盲深紫外器件

    加拿大研究人员:宽禁带钙钛矿量子点及在天蓝LED的应用

    钙钛矿基质在量子点(QD)上的外延生长使高效红光发光二极管(LED)得以出现,因为它将高效电荷传输与强大的表面钝化结合起来。然而,到目前为止,在天蓝LED的情况下,在基质异质...
    2022-07-05
    加拿大研究人员:宽禁带钙钛矿量子点及在天蓝LED的应用

    南方科技大学孙小卫教授课题组AOM:溴离子钝化高效蓝光InP量子点材料与器件研

    半导体照明网获悉:近日,南方科技大学孙小卫课题组通过低温成核、高温包覆的方法成功制备了基于溴离子钝化的高效蓝光InP量子点材料,同时通过配体工程,将长链的十二硫醇配体...
    2022-06-15
    南方科技大学孙小卫教授课题组AOM:溴离子钝化高效蓝光InP量子点材料与器件研

    浙大金一政团队和华南理工大学黄飞/应磊团队合作在量子点发光二极管研究方

    近日,浙江大学金一政课题组、王林军课题组与华南理工大学黄飞 / 应磊团队合作,在高性能蓝、绿光量子点发光二极管( QLED )的开发上取得进展。研究者揭示了无机量子点 / 有机高...
    2022-05-23
    浙大金一政团队和华南理工大学黄飞/应磊团队合作在量子点发光二极管研究方

    厦大张荣教授团队与台交大郭浩中教授团队合作:Micro LED色转换研究领新进展

    随着人工智能、图像识别和5G通信技术的快速发展,增强现实(AR)和虚拟现实(VR)技术正以惊人的速度发展。新冠疫情背景下,远程办公和远程消费交互日益增加,市场再次将注意力转向...
    2022-07-27
    厦大张荣教授团队与台交大郭浩中教授团队合作:Micro LED色转换研究领新进展

    剖析丨InP衬底的制备以及产业化现状

    磷化铟(InP)目前已成为光电器件和微电子器件不可或缺的重要半导体材料。本期1°姐将为大家详细介绍InP单晶衬底的制备以及产业化现状。 一、InP性能简介 磷化铟(InP) 是一种具有...
    2021-05-23
    剖析丨InP衬底的制备以及产业化现状

    网站栏目