美研究人员开发GaN LED新型涂层 提升LED亮度

中国半导体照明网译 美国北卡罗来纳州立大学最新开发出了一种新技术，能够在不增加耗电量的情况下大幅度提升LED的亮度，同时还能带来更高的稳定性和适用性。这一技术相关的研究文章已发表在著名的化学期刊《朗缪尔》上。

研究的第一作者为北卡罗来纳州立大学的斯图尔特·威尔金斯博士，他表示他们所采用的方法是在常用的GaN LED上添加膦酸组涂层。研究人员首先采用多层自组装技术来生产GaN，然后添加含有磷酸分子的有机磷，最后将其涂到GaN材料的表面。GaN能够改善LED的光效，膦酸组材料则能够保障GaN的稳定性，使其不易与环境中的物质发生反应。

“GaN的稳定性十分重要，”威尔金斯介绍说，“因为这将使其更有可能被应用到生物医学当中，比如可植入型传感器。”

相关研究显示，与普通硅材料LED相比，GaN能够提高LED的光输出量。在相同能耗的情况下，硅材料LED的光通量能够达到1000流明，而GaN LED则能达到2000流明。此外，GaN LED体积和质量更小，也更容易实现不同类型的集成。

原文链接：http://www.lednews.org/researchers-gan-led-technology-double-flux/